WASEDA UNIVERSITY
              
 
 
 

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2014年

国際学会

The 5th NIMS/MANA-Waseda University International Symposium, Tsukuba, Japan, 24  March 2014. [1件]

1) M. Inaba, K. Suzuki, M. Shibuya, C.-Y. Lee, M. Myodo, A. Hiraiwa, Y. Masuda, W. Norimatsu, M. Kusunoki, H. Kawarada, "CNT/SiC Interface for Power Device Applications"

NT14: The Fifteenth International Conference on the Science and Application of Nanotubes, University of Southern California, Los Angeles, CA, USA  2-6 June, 2014. [1件]

2) M. Inaba, C.-Y. Lee, K. Suzuki, M. Shibuya, M. Myodo, A. Hiraiwa, W. Norimatsu, M. Kusunoki, H. Kawarada "In-plane Conduction of Dense Carbon Nanotube Forest Formed on Silicon Carbide"

2014 International Symposium on Single Crystal Diamond Electronics and the Fourth Chinese Vacuum Forum(SCDE 2014), Xian, China, 13-17 June, 2014. [1件]

3) H. Kawarada, " Diamond Field Effect Transistors for Power Electronics"(invited)

IUMRS-ICA2014, International Union of Materials Research Societies, International Conference in Asia 2014(The 15th IUMRS-ICA ),Fukuoka,Japan,24-30 August 2014. [7]

4) M. Inaba, C.-Yu Lee, K. Suzuki, M. Shibuya, M.Myodo, A. Hiraiwa, W. Norimatsu, M. Kusunoki, H.Kawarada, "In-plane conductivity of dense carbon nanotube forest formed by silicon carbide surface decomposition method"

5) K. Suzuki, M. Inaba, M. Shibuya, C.-Yu Lee, M. Myodo, A. Hiraiwa, W. Norimatsu, M. Kusunoki, H.Kawarada "Evaluation of the contact resistivity and Schottky barrier height at CNT/SiC interface by top contact electrode"

6) Y. Seshimo, T. Hakamata, W. Ono, Y. Yokoyama, D. Utsunomiya, A. Hiraiwa, H.Kawarada, "Surface structure of (111) diamond with recovered surface conduction after heat"

7) T.Yamada, T.Naruo, H.Tsuboi, D.Xu, A.Daicho, T.Saito, K.Kuruma, A.Hiraiwa, H.Kawarada
"600 V Breakdown voltage of C-H diamond MOSFETs with thick Al2O3 gate insulator"

8) D. Xu, H. Tsuboi, T. Naruo, T. Yamada, A. Daicho, T. Saito, K. Kuruma, A. Hiraiwa, H. Kawarada  "Wide Temperature (10-673 K) Operation of C-H Diamond MOSFETs"

9) M. Kobayashi,Y. Shintani, M. Myodo, H. Kawarada "Fluorine-terminated thin boron-doped diamond Solution Gate FET"

10) T. Kageura, M. Koga, T. Yamaguchi, Y. Takano, H. Kawarada, ”Superconductivity of Heavily Boron-doped Diamond (111) by Spherical-resonator-Micro-wave-Plasma CVD”

65th Annual Meeting of the International Society of Electrochemistry, Lausanne, Swiss,31 Aug.-5 Sept.2014 [1件]

11) Y. Shintani, T. Saruya, H. Kawarada, "Characterization of Termination-controlled Boron-doped Polycrystalline Diamond Electrolyte-solution-gate Field-effect Transistor pH Sensor "

Japan-France Joint Diamond Workshop 2014,Kuju Joint Training Center, Oita Japan, 9.Oct.2014 [1]

12) H. Kawarada, "C-H surface diamond FETs for high voltage (>500V) and wide temperature(-263℃-+400℃) operation,

The 5th International Symposium on Advanced Materials Development and Integration of Novel Structured Metallic and Inorganic Materials (AMDI-5), Tokyo, Nov.19, 2014. [2]

12) M. Inaba, K. Suzuki, M. Shibuya, C.-Y. Lee, M. Myodo, Y. Hirano, A. Hiraiwa, W. Norimatsu, M. Kusunoki, H. Kawarada, “Carbon nanotube forest for ohmic and heat dissipative electrode of silicon carbide power devices”

13) T. Kageura, M. Shibata, T. Sasagawa, H.Kawarada, " Effect of Lattice Strain for Diamond superconductivity "

2014 MRS Fall Meeting & Exhibit,  Boston, USA, 30 Nov.-5 Dec., 2014,. [7]

14) D. Xu, H. Tsuboi, T. Yamada, Y. Kitabayashi, T. Saito, D. Matsumura, A. Hiraiwa, H. Kawarada,,"Stable Performance of C-H Bonds Diamond MOSFETs at 10K-673K"

15) Y. Seshimo, T. Hara, Y. Hayashi, T. Hakamata, W. Ono, A.Hiraiwa, H. Kawarada.
"Electric Property of SiO2/Diamond Structure"

16) T. Yamada, H. Tsuboi, D. Xu, Y. Kitabayashi, T. Saito, D. Matsumura, A. Hiraiwa, H. Kawarada, "Nearly 1000V Breakdown Characteristic of C-H Diamond Lateral MOSFETs with Al2O3 Gate Insulator"

17) K. Suzuki, M. Inaba, M. Shibuya, C.-Y. Lee, M. Myodo, Y. Hirano, A. Hiraiwa, W. Norimatsu, M. Kusunoki, H. Kawarada, "Schottky Barrier Height of Carbon Nanotubes to n-Type 4H-SiC for High Power Device Electrodes

18) T. Kageura1, M. Shibata, T. Yamaguchi, Y. Takano, H. Kawarada, ”Analysis of Superconducting Boron-Doped Diamond Thin Film Using X-Ray Diffraction”

19) M. Kobayashi, M. Inaba, M.Syamsul.N.S.B., A. Hiraiwa, H. Kawarada."Fabrication of Diamond Rods for Power Device Application"

20) H. Kawarada, A. Hiraiwa, "Stability and Formation of Surface Hole Accumulation at C-H Diamond Surface"(invited)

IEDM 2014: IEEE International Electron Devices Meeting, San Francisco, CA, USA, 15-17 Dec., 2014.[1]

21) H. Kawarada, H. Tsuboi, T. Yamada, D. Xu, T. Saito, A. Hiraiwa, "Wide Temperature (10K- 700K) and High Voltage (~1000V) Operation of C-H Diamond MOSFETs for Power Electronics Application"

 

国内学会

46 フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム,東京大学,201433-5 [2]

1) M.Inaba, C.-Yu Lee, K. Suzuki, M. Shibuya, A. Hiraiwa, Y. Masuda, W. Norimatsu, M.Kusunoki, H. Kawarada, "In-plane conductivity of dense carbon nanotube forest on semi-insulating silicon carbide"

2) 鈴木 和真,稲葉 優文,渋谷 恵,李 智宇,明道 三穂,平岩 篤,増田佳穂,乗松 航,楠 美智子,川原田 洋,"Evaluation of the contact resistivity and Schottky barrier height at carbon nanotubes/silicon carbide interface"

第4回6大学6研究所連携プロジェクト公開討論会, 東京医科歯科大学, 201437[1]

3) 蔭浦 泰資,古閑 三靖,新谷 幸弘,平岩 篤,川原田 洋,笹川 崇男,”高濃度ボロンドープナノダイヤモンドを用いたP型透明導電膜の作製”

春季第61応用物理学会・青山学院大学(相模原C)2014317-20[9]

4) 蔭浦 泰資,古閑 三靖, 高野 義彦, 山口 尚秀, 川原田 洋 ,"球型共振器構造マイクロ波プラズマCVD装置による高濃度ボロンドープダイヤモンド(111)の超伝導",

5) 許 德琛, 坪井 秀俊, 成尾 智也, 山田 哲也, 大長 央, 斉藤 達也, 車 一宏, 平岩 篤, 川原田 洋, "C-HダイヤモンドMOSFETの10-673K動作特性"

6) 車 一宏,齊藤 達也,大長 央, 平岩 篤, 川原田 洋, "重水を用いた原子層堆積(ALD)法によるAl2O3 膜電気的絶縁耐圧の向上"

7) 小林 幹典, 新谷 幸弘, 明道 三穂, 川原田 洋,"ボロンドープチャネルを用いたフッ素終端電解質溶液ゲートFET"

8) 鈴木 和真,稲葉 優文,渋谷 恵,李 智宇,明道 三穂,平岩 篤,増田 佳穂,乗松 航,楠 美智子,川原田 洋,"トップコンタクト電極を用いた CNT/SiC 界面の接触抵抗及び Schottky 障壁高さの評価"

9) 瀬下 裕志,袴田 知宏,小野 和子,横山 悠樹,宇都宮 大起,平岩 篤,川原田 洋,"熱処理により表面伝導を回復した(111)ダイヤモンドの表面構造"

10) 山田 哲也, 成尾 智也, 坪井 秀俊, 許 德琛, 大長 央, 斎藤 達也, 車 一宏,平岩 篤, 川原田 洋,"ALD-Al2O3水素終端ダイヤモンドMOSFETの高耐圧化"

11) 平岩 篤,川原田 洋, "イオン化積分法によるダイヤモンドの破壊電界"

12) 川原田 洋, "ダイヤモンド表面固定アプタマーによるトランジスタ型バイオセンサ" (招待講演)

第47回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム、名古屋大学、2014年9月3日-5日 [3件]

13) M. Inaba, C.-Y. Lee, K. Suzuki, M. Shibuya, Y. Hirano, M. Myodo, A. Hiraiwa, W.Norimatsu, M. Kusunoki, H. Kawarada, "Mask Patterning at Very High Temperature for Carbon Nanotube Forest on Silicon Carbide"

14) M. Shibuya, M. Inaba, K. Suzuki, Y. Hirano, M. Kusunoki, H. Kawarada, "Open-end for cloning from zigzag-type aligned carbon nanotubes"

15) K. Suzuki, M. Inaba, M. Shibuya, C.-Y. Lee, M. Myodo, Y. Hirano, A. Hiraiwa, W.Norimatsu, M. Kusunoki, H. Kawarada, “Estimation of the Contact Resistivity and Schottky Barrier Height at CNT/SiC Interface by Top Contact Electrode”

75回応用物理学会秋季学術講演会、北海道大学、2014917-20[9]

16) 平岩 篤,齊藤 達也,大長 央,川原田 洋, "H2O形成ALD-Al2O3膜によるダイヤモンド表面保護効果の同位体解析"

17) 松村 大輔,齊藤 達也,平岩 篤,川原田 洋,"原子層堆積(ALD)Al2O3膜の高温電気特性"

18) 柴田 将暢, 蔭浦 泰資, 古閑 三靖, 山口 尚秀, 高野 義彦, 川原田 洋, "X 線回折法を用いたボロンドープ超伝導ダイヤモンド薄膜の物性評価"

19) 原 壮志,袴田知宏,小野和子,瀬下裕志,林 佑哉,平岩 篤,川原田洋,"MBE-SiO2 膜下のダイヤモンド表面の電気物性"

20) 林 佑哉,原 壮志,瀬下 裕志,袴田 知宏,小野 和子,平岩 篤, 川原田 洋,"(111)ダイヤモンドの熱処理による表面伝導の回復"

21) 北林 祐哉, 山田 哲也, 許 德琛, 坪井 秀俊, 齊藤 達也, 松村 大輔, 平岩 篤, 川原田 洋,"ALD-Al2O3 C-HダイヤモンドMOSFETの高耐圧特性"

22) 平野 優, 稲葉 優文, 渋谷 恵, 鈴木 和真,李 智宇, 明道 三穂, 平岩 篤, 乗松 航,楠 美智子, 川原田 洋,"SiC 上のカーボンナノチューブを下地としたカーボンナノチューブフォレストのクローニング成長"

23) 楢村 卓朗, 明道 三穂, 稲葉 優文, 石山 雄一郎, ルスリンダ アブドル ラヒム, 平岩 篤, 川原田 洋, "ダイヤモンド基板上でのATP検出"

24) 稲葉 優文, 李 智宇, 鈴木 和真, 渋谷 恵, 明道 三穂, 平野 優, 平岩 篤, 乗松 航, 楠 美智子, 川原田 洋, ”SiC上に形成した稠密カーボンナノチューブフォレストの面内方向伝導性評価”

28回ダイヤモンドシンポジウム、東京電機大学 東京千住キャンパス、20141119-21 [8]

25) 平野 優、稲葉 優文、渋谷 恵、鈴木 和真、李 智宇、明道 三穂、平岩 篤、乗松 航、楠 美智子、川原田 洋、"SiC表面分解法で作成したカーボンナノチューブフォレストからの無触媒成長"

26) 楢村 卓朗、明道 三穂、エヴィ スアエバ、小林 幹典、稲葉 優文、石山 雄一郎、ルスリンダ アブドル ラヒム、平岩 篤、川原田 洋、"カルボキシル基終端ダイヤモンドによるATP検出(Detection of ATP via Aptamer on Carboxyl-terminated Diamond Surface) "

27) 松村 大輔,斉藤 達也,平岩 篤,川原田 洋, "ALD-Al2O3膜の高温電気特性の安定化に向けた酸化剤の検討(Effect of oxidant selection on the stability of high-temperature electric characteristics of ALD-Al2O3 films) "

28) 柴田 将暢, 蔭浦 泰資, 古閑 三靖, 山口 尚秀, 高野 義彦, 川原田 洋, "Tc (offset)=10K以上の超伝導転移温度を示すボロンドープダイヤモンド薄膜の結晶性"

29) 原 壮志,袴田 知宏,小野 和子,瀬下 裕志,林 佑哉,平岩 篤,川原田 洋, "ダイヤモンド上SiO2のゲート絶縁膜としての検討"

30) 北林 祐哉, 山田 哲也、許 德琛、坪井 秀俊、斉藤 達也、松村 大輔、平岩 篤、川原田 洋, "耐圧1000V級 ALD-Al2O3 C-HダイヤモンドMOSFET"

31) 林 佑哉、瀬下 裕志、原 壮志、袴田 知宏、小野 和子、平岩 篤、川原田 洋、"部分酸素終端(111)ダイヤモンド表面の真空熱処理後における表面構造評価"

32) 平岩 篤, 川原田 洋, "素子構造に依存したダイヤモンドの破壊電圧および破壊電界, Diamond breakdown voltage and field limited by device structures