WASEDA UNIVERSITY
              
 
 
 

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2017年

国際学会

  1. H. Kawarada, "Diamond Transistors for Power Electronics and Biosensing ", International conference on Materials and Systems for Sustainability 2017 (ICMaSS 2017)/iLIM-2, Nagoya, Japan, Sep. 29-Oct. 1, 2017. (Plenary Lecture)
  2. A. Hiraiwa , S. Okubo, D. Matsumura, and H. Kawarada, "Current Conduction in Al2O3 Films Formed by Atomic Layer Deposition Using Water and Ozone as Oxidant," International conference on Materials and Systems for Sustainability 2017 (ICMaSS 2017)/iLIM-2,  Nagoya, Japan, P-iLIM-2-45, Sep. 29-Oct. 1, 2017. (poster)
  3. T.Kageura, I.Tyuyuzaki, M.Hideko, Y.Sasama, T.Yamaguchi, Y.Takano, M.Tachiki, S.Ooi, K.HIrata, S.Arisawa, H.Kawarada " Single Crystalline Boron-doped Diamond Superconducting Quantum Interference Devices", International conference on Materials and Systems for Sustainability 2017 (ICMaSS 2017), Nagoya, Japan, Sep. 29 - Oct. 1, 2017, (poster)
  4. W. Fei, M.Inaba, Y.Hirano, H.Masuda , H.Kawarada, "Growth of Diamond Nanocylinder Forest Using Template-Assisted Antenna-Edge Type Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition", ICMaSS2017, Nagoya, 29 Sep.-1 Oct. 2017.(poster)
  5. Te Bi, Junxiong Niu, Nobutaka Oi, Masafumi Inaba, Toshio Sasaki, Hiroshi Kawarada,"Normally-off Diamond p-FET Application in Cascode with Breakdown Voltage over 1.7 KV ",International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017 , Nagoya, Japan, 30 September, 2017, (poster)
  6. N. Oi, T. Kudo, T. Muta, S. Okubo, I. Tsuyuzaki, T. Kageura, M. Inaba, S. Onoda, A. Hiraiwa, H. Kawarada, "Vertical-type 2DHG Diamond MOSFETs", 2017 International Conference on Solid State Devices and Materials, Sendai, Japan, Sep. 19-22, 2017 . (oral)
  7. S. Kawai,  H. Yamano, T. Sonoda, M. Kajiya, K.Kato, J. J. Buendia, T. Kageura, M. Inaba, R. Fukuda, T. Okada, I. Higashimata, M. Haruyama, T. Tanii, K. Yamada, S. Onoda, W. Kada, O. Hanaizumi, A. Stacey, T. Teraji, S. Kono, J. Isoya, H. Kawarada " Charge Stability of Shallow Nitrogen Vacancy Center in Diamond with Radical Exposure Nitridation Surface for DNA Detection", 2017 International Conference on Solid State Devices and Materials, Sendai, Japan, Sep. 19-22, 2017 . (poster)
  8. I. Tsuyuzaki, T. Kageura, M. Hideko, Y. Sasama, T. Yamaguchi, Y. Takano, M. Tachiki, K. Hirata, S. Ooi, S. Arisawa, H. Kawarada, "Boron-doped Diamond Superconducting Quantum Interference Devices with Two Step-Edge Josephson Junctions", 2017 International Conference on Solid State Devices and Materials, Sendai, Japan, Sep. 19-22, 2017 . (poster)
  9. S.Okubo, D.Matsumura, K.Horikawa, A.Hiraiwa, H.Kawarada, "Current conduction in H2O-grown ALD-Al2O3 films on Si substrate", 2017 International Conference on Solid State Devices and Materials. Sendai, Japan, Sep. 19-22, 2017 (oral)
  10. Te Bi, Junxiong Niu, Nobutaka Oi, Masafumi Inaba, Toshio Sasaki, Hiroshi Kawarada,"Normally-off Diamond p-FET Application in Cascode with Breakdown Voltage over 1.7KV ",The 2017 international conference on Soild State Devices and Materials , Sendai, Japan, 19 September- 22 September, 2017, (oral).
  11. M.Shaili, Y.Shintani, H.Kawarada, "Common Gate Boron Doped Diamond (BDD) Solution Gate FET for pH sensor" The 2017 international conference on Soild State Devices and Materials , Sendai, Japan, 19 September- 22 September, 2017, (oral).
  12. H. Kawarada,” Normally-off and vertical diamond power FETs using 2 dimensional hole gas”, 2017 International Symposium on Single Crystal Diamond and Electronics (SCDE2017), Xi’an, China,10-14 June 2017 , Keynote speech
  13. T.Kageura, M.Hideko, I.Tsuyuzaki, Y.Sasama, T.Yamaguchi, Y.Takano, M.Tachiki, S.Ooi, K.Hirata, S.Arisawa, H.Kawarada, “Superconducting Single Crystal Diamond SQUID”, The 11th New Diamond and Nano Carbons 2017, Cairns, Australia, 28 May- 1 June, 2017, Oral
  14. M.Syamsul, J.J. Buendia, N. Oi, S. Okubo, H.Kawarada, “Heteroepitaxial diamond FET for power electronics application”, The 11th New Diamond and Nano Carbons 2017, Cairns, Australia, 28 May- 1 June, 2017, Oral
  15. M.S Shaili, T. Naramura, M.Inaba, Y.Shintani, H.Kawarada,"Precise Control of Voltage Threshold by Electrochemical Oxygen Termination Boron-doped Diamond Solution- Gate Field Effect transistor (SGFET) for PH sensor", The 11th New Diamond and Nano Carbons 2017, Cairns, Australia, 28 May- 1 June, 2017, Oral
  16. Te Bi, J. Niu, N. Oi, M. Inaba, T. Sasaki, H. Kawarada,"Normally-off Diamond p-FET Application in Cascode with 1735 V Breakdown Voltage ",The 11th New Diamond and Nano Carbons 2017, Cairns, Australia, 28 May- 1 June, 2017, Poster, The Best Poster Awards
  17. E. Suaebah Y. Seshimo,T. Naramura, M. Hasegawa, H. Kawarada, “Amine termination of Nanocrystalline Diamond surface by Nitrogen Radical Beam (NRB) for Biosensing Application”, 7th Annual Basic Science International Conference, Malang, Indonesia, 7-8 March 2017, oral
  18. J. Niu, T. Bi, D. Matsumura, T. Kudo, M. Inaba, T. Sasaki and H.Kawarada, “Normally-off Diamond MOSFETs in Cascode Configuration with Breakdown Voltage over 1.7kV,” Hasselt  Diamond Workshop 2017 - SBDD XXII , cultuurcentrum Hasselt, Hasselt, Belgium, 8-10 March 2017, poster

 

国内学会

  1. 新谷 幸弘, 川原田 洋, "フッ素終端ダイヤモンドを用いた全固体pHセンサ", 第62回化学センサ研究発表会, 長崎大学(長崎), 2017年9月10日-11日(口頭)
  2. 蔭浦 泰資、河合 空、山野 颯、薗田 隆弘、Buendia Jorge、谷井 孝至、春山 盛善、山田 圭介、小野田 忍、加田 渉、花泉 修、寺地 徳之、磯谷 順一、Stacey Alastair、河野 省三、川原田 洋, ”窒素ラジカル暴露処理で形成された窒素終端ダイヤモンドの表面構造解析”第78回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス(福岡), 2017年9月5日-8日(口頭)
  3. 大井 信敬, 工藤 拓也, 牟田 翼, 大久保 智, 露崎 活人, 蔭浦 泰資, 稲葉 優文, 小野田 忍, 平岩 篤, 川原田 洋, "縦型2DHGダイヤモンドMOSFETsの動作解析と絶縁破壊電圧の向上", 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス(福岡), 2017年9月5日-8日(口頭)
  4. 天野 勝太郎, 蔭浦 泰資, 日出幸 昌邦, 露崎 活人, 大里 啓孝, 津谷 大樹, 笹間 陽介, 山口 尚秀, 高野 義彦, 立木 実, 大井 修一, 平田 和人, 有沢 俊一, 川原田 洋, "不連続(111)面を利用した超伝導ボロンドープ単結晶ダイヤモンドジョセフソン接合", 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス(福岡), 2017年9月5日-8日(口頭)
  5. 今西 祥一朗, 大井 信敬,工藤 拓也,大久保 智,堀川 清貴, 平岩 篤, 川原田 洋, "高電界>4×105V/cm下でのALD-Al2O3 2DHGダイヤモンドMOSFETの遮断周波数の向上", 第78回応用物理学会春季学術講演会, 福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス(福岡), 2017年9月5日-8日(口頭)
  6. 井山 裕太郎, 阿部 修平, 五十嵐 圭為, 稲葉 優文, 大井 信敬, 新谷 幸弘, 川原田 洋, "ダイヤモンドSGFET(溶液ゲートFET)のデバイスシミュレーション", 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス(福岡), 2017年9月5日-8日(口頭)
  7. 岩瀧 雅幸, 大井 信敬, 工藤 拓也, 牟田 翼, 大久保 智, 露崎 活人, 蔭浦 泰資, 稲葉 優文, 平岩篤, 川原田 洋, “CVD法によりブロック層を形成した縦型2DHGダイヤモンドMOSFETの特性評価”, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス(福岡), 2017年9月5日-8日(口頭)
  8. 薗田 隆弘, 河合 空, 山野 颯, 加藤 かなみ, 蔭浦 泰資, 福田 諒介, 岡田 拓真, 春山 盛善, 谷井 孝至, 山田 圭介, 小野田 忍, 寺地 徳之, 加田 渉, 花泉 修, 河野 省三, 磯谷 順一, 川原田 洋, "窒素終端およびシリコン終端ダイヤモンド中の浅いNVセンターのスピン特性", 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス(福岡), 2017年9月5日-8日(口頭)
  9. 堀川 清貴, 大久保 智, 蔭浦 泰資, 平岩 篤, 川原田 洋 “結晶化高温アニールによる原子層堆積Al2O3膜バイアス安定性の向上", 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス(福岡), 2017年9月5日-8日(口頭)
  10. 矢部太一, 工藤拓也, 河合空, 梶家美貴, 大井信敬, 大久保智, 堀川清貴, 蔭浦泰資, 河野省三, 平岩篤, 川原田洋, "水素終端ダイヤモンド表面上へ形成したSiO2薄膜が2次元正孔ガス層に及ぼす影響", 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス(福岡), 2017年9月5日-8日(口頭)
  11. 平岩 篤,佐々木 敏夫,大久保 智,川原田 洋,“GaN基板上原子層堆積Al2O3膜における経時的絶縁破壊の温度特性”,第78回応用物理学会秋季学術講演会,福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス(福岡), 2017年9月5日-8日(口頭)
  12. 大井 信敬, 工藤 拓也, 牟田 翼, 大久保 智, 露崎 活人, 星野 晴華, 蔭浦 泰資, 稲葉 優文, 小野田 忍, 平岩 篤, 川原田 洋, "縦型2DHGダイヤモンドFETの特性向上", 第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜(神奈川), 2017年3月14日-17日(口頭)
  13. 大久保 智、松村 大輔、 平岩 篤、 川原田 洋 "O3処理を施した原子層堆積Al2O3膜の電気伝導性"、第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜(神奈川), 2017年3月14日-17日(口頭)
  14. 梶家 美貴,加藤 かなみ,河合 空,山野 颯,五十嵐 圭為,M.S. Shaili,Evi Suaebah,蔭浦 泰資,稲葉 優文,河野 省三,川原田 洋,”ダイヤモンドセンシング応用に向けたダイヤ表面のNH2 終端評価”,第64回応用物理春季学術講演会,パシフィコ横浜(神奈川),2017年3月14日-17日(口頭)
  15. 河合 空,山野 楓,梶家美貴,加藤かなみ,蔭浦泰資,稲葉優文,福田諒介, 岡田拓真, 東又 格,春山盛善, 谷井孝至,山田圭介,小野田 忍,加田 渉,花泉 修,寺地徳之,磯谷順一,川原田 洋, "表面終端がダイヤモンド中の浅いNVセンターへ与える影響", 第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜(神奈川), 2017年3月14日-17日(口頭)
  16. 露崎 活人, 蔭浦 泰資, 日出幸昌邦, 大里 啓孝, 津谷 大樹, 笹間 陽介, 山口 尚秀, 高野 義彦, 立木 実, 大井 修一, 平田 和人, 有沢 俊一, 川原田 洋, "単結晶ダイヤモンド超伝導量子干渉計”, 第64回応用物理学会春季学術講演, パシフィコ横浜(神奈川), 2017年3月14日-17日 (口頭)
  17. 星野晴華, 稲葉優文, 川原田洋, "選択成長に向けたリモートプラズマCVD法によるダイヤモンド合成", 第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜(神奈川), 2017年3月14日-17日(口頭)
  18. 平岩 篤,佐々木 敏夫,大久保 智,松村 大輔,川原田 洋,"GaN基板上原子層堆積Al2O3膜の経時的絶縁破壊(TDDB)",第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜(神奈川), 2017年3月14日-17日(口頭)
  19. 川原田 洋, 山野 颯, 河合 空, 梶家 美貴, 加藤かなみ, 蔭浦 泰資, 稲葉 優文, 岡田 拓真, 東又格, 春山 盛善, 谷井 孝至, 山田 圭介, 小野田 忍, 寺地 徳之, 加田 渉, 花泉 修, 磯谷 順一, "N-V中心NMRのためのダイヤモンド表面の電荷安定性",第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜(神奈川), 2017年3月14日-17日(口頭)
  20. 川原田 洋, 北林 祐哉, 柴田 将暢, 松村 大輔, 工藤 拓也, 牟田 翼, 大井 信敬, 稲葉 優文, 平岩 篤, "2次元正孔ガス層による耐圧>1600VダイヤモンドpチャネルMOSFET", 「電子デバイス界面テクノロジー研究会—材料・プロセス・デバイス特性の物理—」(第22回研究会), 東レ総合研修センター(静岡県三島市), 2017年1月19日-21日(口頭)