WASEDA UNIVERSITY
              
 
 
 

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2019年

国際学会

  1. T. Tatsuishi, T. Sonoda, K. Kanehisa, K. Kawakatsu, Y. Hata, K. Nagaoka, Y. Ishii, T. Tanii, S. Onoda, A.Stacey, J. Isoya, S. Kono, H. Kawarada, "Transformation of Nitrogen Adsorbed on (111) Diamond Surface into Highly Aligned 2-Dimensional NV Ensemble", The 2nd International Forum on Quantum Metrology and Sensing (2nd IFQMS), Kyoto, Japan, Dec. 17-18, 2019 (Poster, Dec. 17, 2019) 
  2. H. Kawarada, "Power Diamond p-FETs for High Frequency and Power Complementary Circuits with Other Wide Bandgap Semiconductor n-FETs", The 2nd International Workshop on Plasma Technology for Diamond Growth and Diamond Device Fabrication as special workshop of APSPT-11, Kanazawa, Japan, Dec. 13, 2019. (Poster, Dec. 13, 2019)
  3. J. Nishimura, M. Iwataki, N. Oi, A. Hiraiwa, H. Kawarada, "(111) Vertical-type 2DHG Diamond MOSFETs with Hexagonal Trench Structures", 2019 MRS Fall Meeting & Exhibit, Boston, USA, Dec. 1-6, 2019. (Oral, Dec. 3, 2019) 
  4. K. Tadenuma, Y. Iyama, Y. Chang, Y. Shintani, H. Kawarada, "Short Distance Electric Seawater Wireless Communication utilizing Diamond Solution Gate FET", 2019 MRS Fall Meeting & Exhibit, Boston, USA, Dec. 1-6, 2019. (Oral, Dec. 2, 2019)
  5. T. Tatsuishi, T. Sonoda, J. J. Buendia, T. Kageura, Y. Ishii, K. Nagaoka, Y. Hata, K. Kawakatsu, T. Tanii, M. Haruyama, S. Onoda, A. Stacey, T. Teraji, J. Isoya, S. Kono, H. Kawarada"Aligned Two-Dimensional NV Ensemble Fabrication from (111) Nitrogen-Terminated Surface Embedded by High Purity Diamond", 2019 MRS Fall Meeting & Exhibit, Boston, Massachusetts, Dec. 1-6, 2019. (Oral, The Second Best Oral Presentation, Dec. 4, 2019)
  6. K. Kudara, S. Imanishi, K. Horikawa, A. Hiraiwa, H. Kawarada, "1.4×107 cm/s Carrier Velocity and RF Power Performance Biased at −70 V for 2DHG Diamond MOSFETs with Thick ALD-Al2O3 Film", 2019 MRS Fall Meeting & Exhibit, Boston, USA, Dec. 1-6, 2019. (Oral, Dec. 2, 2019)  
  7. A. Morishita, S. Amano, T. Kageura, M. Tachiki, S. Ooi, S. Arisawa, Y. Takano, H. Kawarada, "Boron-doped Diamond Superconducting Quantum Interference Devices Operating above Liquid Helium Temperature", 2019 MRS Fall Meeting & Exhibit, Boston, USA, Dec. 1-6, 2019. (Oral, Dec. 3, 2019)
  8. Reem Alhasani1,Mohammed Alhasani1,T. Yabe1,H. Kawarada, "Normally off Hydrogen Terminated Diamond Field Effect Transistor (C-H MOSFET) Device with Deep Donor Doping Using Nitrogen Termination", 2019 MRS Fall Meeting & Exhibit, Boston, USA, Dec. 1-6, 2019. (Oral, Dec. 3, 2019)
  9. A. Hiraiwa, S. Okubo, K. Horikawa, H. Kawarada, "Under-gate-dipole-controlled current conduction in high-permittivity insulators", 2019 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES: SCIENCE AND TECHNOLOGY" (2019 IWDTF). Paper ID:   1011, Tokyo Institute of Technology, Tokyo, Japan, Nov. 18-20, 2019, (Poster, Nov. 18,2019)
  10. A. Morishita, I. Tsuyuzaki, T. Kageura, S. Amano, Y. Takano, M. Tachiki, S. Ooi, S. Arisawa and H. Kawarada, “Boron-doped Diamond Superconducting Quantum Interference Devices Operating up to 10 K”, 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2019), Aichi, Japan, Sept. 2-5, 2019. (Poster)
  11. K. Kudara, S. Imanishi, K. Horikawa, A. Hiraiwa, H. Kawarada, " RF Power Performance of 2DHG Diamond MOSFETs with thick ALD-Al2O3 Film" 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2019), Nagoya, Japan, Sept. 2-5, 2019 (oral, Sept. 5, 2019).
  12. J. Nishimura, M. Iwataki, N. Oi, A. Morishita, A. Hiraiwa, H. Kawarada,  "(111) Vertical-type 2DHG Diamond MOSFETs with Hexagonal Trench Structures"  2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2019), Nagoya, Japan, Sept. 2-5, 2019 (Oral, Sept. 5, 2019).
  13. Tetsuya Tatsuishi, Takahiro Sonoda, Jorge J. Buendia, Taisuke Kageura, Kazuto Kawakatsu, Yuki Hata, Kiro Nagaoka, Yu Ishii, Takashi Tanii, Moriyoshi Haruyama, Keisuke Yamada, Shinobu Onoda, Wataru Kada, Osamu Hanaizumi, Alastair Stacey, Tokuyuki Teraji, Junichi Isoya, Shozo Kono and Hiroshi Kawarada, "New Delta Doping of Nitrogen for 2 Dimensionally Condensed NV Centers Using Nitrogen Terminated Diamond Followed by High Purity Diamond Growth", 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2019), Aichi, Japan, Sept. 9-3, 2019. (Oral).
  14. K. Tadenuma, Y. Iyama, Y. Chang, Y. Shintani, H. Kawarada, "Electric Signal Transmission in Seawater using Diamond Solution Gate FET as Receiver", 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2019), Aichi, Japan, Sept. 2-5, 2019. (Oral)
  15. S. Imanishi, K. Kudara, K. Horikawa, A. Hiraiwa, H. Kawarada, "Diamond MOSFETs with ALD-Al2O3 Exhibiting RF Power Density of 3.8 W/mm and Carrier Velocity of 1.0 × 107 cm/s on Polycrystalline Diamond", TWHM 2019 13th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics, Toyama, Japan, Aug. 26-29, 2019, (poster), Aug. 27, 2019.
  16. T.Bi, T.Kudo, A.Yamamoto, T.Yabe, K.Horikawa, T.Sasaki, A.Hiraiwa, H.Kawarada,"Diamond Cascode Application for Diamond p-FET GaN n-FET Half-Bridge Complementary Inverter", TWHM 2019 13th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics, Toyama, Japan, Aug. 26-29, 2019, (poster), Aug. 27, 2019.
  17. M. Iwataki, N. Oi, J. Nishimura, K. Horikawa, A. Hiraiwa, H. Kawarada, "Vertical-Type 2-Dimensional Hole Gas Diamond MOSFET with IDS: ~10000 A/cm2 and specific RON: 3.2 mΩcm2", TWHM 2019 13th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics, Toyama, Japan, Aug. 26-29, 2019, (poster, Aug. 27, 2019)
  18. H. Kawarada, "High Frequency, High Power Diamond p-FETs Including Vertical Structures for High Voltage and High Speed Complementary Circuits" EM-NANO2019, Shinsyu University, Nagano, Japan, Jun. 19-22, 2019. (Invited)
  19. H. Kawarada, "High Frequency, High Power Diamond p-FETs for High Speed & Power Complementary Circuits with GaN or SiC n-FETs", (SCDE2019) Conference on Single Crystal Diamond and Electronics, Xi’an, China, Jun. 9-12, 2019. (Plenary Lecture)
  20. H. Kawarada, "Toward New Generation Power Electronics with Complementary FET’s Composed of Diamond p-FET and Nitride n-FETs", International Conference on Semiconductor Materials and Technology, Penang, Malaysia, May 29-30, 2019. (Keynote Speech)
  21. W. FEI, M. Inaba, H. Hoshino, I. Tsuyuzaki, S. Kawai, M. Iwataki, H. Kawarada,  ”Point-arc remote plasma CVD for single crystal diamond site-selective growth”, Hasselt Diamond Workshop 2019 - SBDD XXIV, Hasselt, Belgium, Mar. 13-15, 2019. (Poster, March 13)
  22. T. Kageura, I. Tsuyuzaki, S. Amano, A.Morishita, M. Tachiki, S. Ooi, S. Arisawa, Y. Takano, H. Kawarada, "Diamond Josephson Junctions and SQUID for Superconducting Q-bit", The 1st International Forum on Quantum Sensing (IFQS2019), Tokyo Institute of Technology, Tokyo, Japan, Feb. 17-19, 2019 (Poster, Best Poster Award, Feb. 18, 2019)
  23. T. Sonoda, S. Kawai, T. Tatsuishi, H. Yamano, J. J. Buendia, T. Kageura, Y. Ishii, K. Nagaoka, R. Fukuda, T. Tanii, M. Haruyama, K. Yamada, S. Onoda, T. Ohshima, W. Kada, O. Hanaizumi, A. Stacey, T. Teraji, S. Kono, J. Isoya, H. Kawarada, “Nitrogen-Terminated Diamond Surface with Shallow NV Centers for Nanoscale NMR”, The 1st International Forum on Quantum Sensing (IFQS2019), Tokyo, Japan, Feb. 17-19, 2019 (Poster, Feb. 18, 2019). 


国内学会

  1. 川口 柊斗, 井山 裕太郎, 張 育豪, 蓼沼 佳斗, 新谷 幸弘, 川原田 洋, "ダイヤモンド電解質溶液ゲートFETを用いたVessel Gate本体のpH sensitivity", 第33回ダイヤモンドシンポジウム, 東京工業大学(東京), 2019年11月13日-15日, (口頭, 2019年11月15日)
  2. 荒井 雅一, 久樂 顕, 今西 祥一朗, 堀川 清貴, 平岩 篤, 川原田 洋, "ALD-AL2O3 ダイヤモンドMOSFETにおける高周波出力密度の向上に向けたオーバーラップ構造の採用", 第33回ダイヤモンドシンポジウム, 東京工業大学(東京), 2019年11月13日-15日(ポスター, 2019年11月14日)
  3. 金久 京太郎, 立石 哲也, 薗田 隆弘, 川勝 一斗, 畑 雄貴, 永岡 希朗, 石井 邑, 谷井 孝至, 小野田 忍, Stacey Alastair, 磯谷 順一, 河野 省三, 川原田 洋, "[111]に高配向なNVアンサンブルの収率向上", 第33回ダイヤモンドシンポジウム, 東京工業大学 (東京) , 2019年11月13日-15日 (口頭, 2019年11月15日)
  4. 鈴木 優紀子, 久樂 顕, 今西 祥一朗, 堀川 清貴, 平岩 篤, 川原田 洋," 厚膜Al2O3絶縁膜を有する2DHGダイヤモンドMOSFETsの大信号特性解析@1GHz ", 第33ダイヤモンドシンポジウム, 東京工業大学(東京), 2019年11月13日-15日(口頭, 2019年11月15日)
  5. 高橋 泰裕, 天野 勝太郎, 森下 葵, 蔭浦 泰資, 高野 義彦, 立木 実, 大井 修一, 有沢 俊一, 川原田 洋, "超伝導ボロンドープダイヤモンド(111)成長層を用いた液体ヘリウム温度以上で動作可能な超伝導量子干渉計の作製", 第33回ダイヤモンドシンポジウム, 東京工業大学(東京), 2019年11月13日-15日 (ポスター, 2019年11月14日)
  6. 寳田 晃翠, 蓼沼 佳斗, 井山 裕太郎, 張 育豪, 新谷 幸弘, 川原田 洋, "ダイヤモンド電解質溶液ゲートFETを用いた海中無線通信の通信距離の評価", 第33回ダイヤモンドシンポジウム, 東京工業大学 蔵前会館(東京), 2019年11月13日-15日(ポスター, 2019年11月14日, 最優秀賞受賞)
  7. 新倉直弥,西村 隼,岩瀧雅幸,大井信敬,森下 葵,川原田洋,平岩 篤 "(111)面を用いた六角形トレンチ構造を持つ縦型2DHGダイヤモンドMOSFETの大電流動作の実現", 第33回ダイヤモンドシンポジウム, 東京工業大学(東京), 2018年11月13日-15日(口頭, 2018年11月15日)
  8. 立石 哲也,  薗田 隆弘, 金久 京太郎, 蔭浦 泰資, 川勝 一斗, 畑 雄貴, 永岡 希朗, 石井 邑, 谷井 孝至, 小野田 忍, Alastair Stacey, 河野 省三, 川原田 洋, “(111)ダイヤモンド表面に吸着した窒素から高配向 2 次元 NV アンサンブルへの変換”, 第6回ZAIKEN フェスタ, 早稲田大学各務記念材料技術研究所(東京),2019年10月3日(ポスター)
  9. 西村 隼 , 岩瀧 雅幸 , 大井 信敬 , 森下 葵 , 平岩 篤 , 川原田 洋 ,  "(111)縦型 2DHG ダイヤモンド MOSFET : 六角形トレンチ構造による大電流動作・低オン抵抗化", 第6回ZAIKEN フェスタ, 早稲田大学各務記念材料技術研究所(東京),2019年10月3日(ポスター・最優秀賞)
  10. 平岩 篤, 堀川 清貴, 川原田 洋, "ワイドバンドギャップ半導体素子における界面準位起因の新しい不安定現象", 第80回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学札幌キャンバス(北海道), 2019年9月18日-21日(口頭, 2019年9月20日)
  11. 久樂 顕, 今⻄ 祥⼀朗, 堀川 清貴, 平岩 篤, 川原⽥ 洋, “2DHG ダイヤモンドMOSFETsにおける⾼周波特性の現状; 出⼒電⼒密度Pout = 3.8 W/mm@1 GHz” 第80回応⽤物理学会秋季講演会, 北海道大学札幌キャンパス(北海道), 2019年9月18日-21日(口頭, 2019年9月18日)
  12. 西村 隼, 岩瀧 雅幸, 大井 信敬, 平岩 篤, 川原⽥ 洋, “ 高出力p型MOSFETの実現に向けた縦型2DHGダイヤモンドMOSFETの開発  ” 第80回応⽤物理学会秋季講演会, 北海道大学札幌キャンパス(北海道), 2019年9月18日-21日(口頭, 2019年9月18日)
  13. 鈴木 優紀子, 久樂 顕, 今西 祥一朗, 堀川 清貴, 平岩 篤, 川原田 洋, "200 nmの絶縁膜Al2O3を有する2DHGダイヤモンドMOSFETsの高周波出力特性@VDS = -70 V", 第80回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学札幌キャンパス(北海道), 2019年9月18日-21日(口頭, 2019年9月20日)
  14. 川口 柊斗, 井山 裕太郎, 張 育豪, 蓼沼 佳斗, 新谷 幸弘, 川原田 洋, "ダイヤモンド電解質溶液ゲートFETを用いたVessel GateによるpH Sensing", 第80回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学札幌キャンパス(北海道), 2019年9月18日-21日(口頭, 2019年9月20日)
  15. 新倉 直弥, 西村 隼, 岩瀧 雅幸, 大井 信敬, 森下 葵, 平岩 篤, 川原田 洋,  "六角形トレンチ構造を有する(111)縦型2DHGダイヤモンドMOSFET", 第80回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学札幌キャンパス(北海道), 2019年9月18日-21日(口頭, 2019年9月20日)
  16. 金久 京太郎, 立石 哲也, 薗田 隆弘, Buendia Jorge, 蔭浦 泰資, 川勝 一斗, 畑 雄貴, 永岡 希朗, 石井 邑, 谷井 孝至, 小野田 忍, 春山 盛善, Stacey Alastair, 寺地 徳之, 磯谷 順一, 河野 省三, 川原田 洋, "窒素終端(111)ダイヤモンドを用いて作製した高配向2次元NVアンサンブル", 第80回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学札幌キャンパス (北海道) , 2019年9月18日-21日 (口頭, 2019年9月19日)
  17. 荒井 雅一, 久樂 顕, 今西 祥一朗, 堀川 清貴, 平岩 篤, 川原田 洋, "ALD-AL2O3 2DHGダイヤモンドMOSFETsの微細化による高周波特性評価", 第80回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学札幌キャンパス(北海道), 2019年9月18日-21日(口頭, 2019年9月20日)
  18. 寳田 晃翠, 蓼沼 佳斗, 井山 裕太郎, 張 育豪, 新谷 幸弘, 川原田 洋, "ダイヤモンド電解質溶液ゲートFETを受信器とした海中無線通信の距離と深さ依存性", 第80回応⽤物理学会秋季学術講演会, 北海道大学札幌キャンパス(北海道),  2019年9月18日-21日, (口頭, 2019年9月20日)
  19. 高橋 泰裕, 天野 勝太郎, 森下 葵, 蔭浦 泰資, 高野 義彦, 立木 実, 大井 修一, 有沢 俊一, 川原田 洋, "(111)成長層の単一段差で構成される超電導ボロンドープダイヤモンドジョセフソン接合", 第80回応用物理学会春季学術講演会, 北海道大学札幌キャンパス (北海道) , 2019年9月18日-21日 (口頭, 2019年9月20日)
  20. 久樂 顕, 今西 祥一朗, 大井 信敬, 大久保 智, 堀川 清貴, 蔭浦 泰資, 平岩 篤, 川原田 洋, "相補型高周波増幅器応用に向けた(111)ダイヤモンドMOSFETsの高周波特性評価", 第66回応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学大岡山キャンパス(東京), 2019年3月9日-12日(口頭, 2019年3月11日)
  21. 立石 哲也, 薗田 隆弘, 河合 空, 山野 颯, Jorge J. Buendia, 蔭浦 泰資, 石井 邑, 永岡 希朗, 福田 諒介, 谷井 孝至, 春山 盛善, 山田 圭介, 小野田 忍, 加田 渉, 花泉 修, Alastair Stacey, 神田 一浩, 上村 雅治, 寺地 徳之, 磯谷 順一, 河野 省三, 川原田 洋, "高被覆率窒素終端(111)ダイヤモンドの作製", 第66回応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学大岡山キャンパス(東京), 2019年3月9日-12日, (口頭, 2019年3月11日)
  22. 蓼沼 佳斗, 井山 裕太郎, 梶家 美貴, 河下 敦紀, ファリナ シャイリ, 張 育豪, 新谷 幸弘, 川原田 洋, "ダイヤモンド電解質溶液FETを受信器とした海水内での信号伝送", 第66回応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学大岡山キャンパス(東京), 2019年3月9日-12日(口頭, 2019年3月11日)
  23. 西村 隼, 大井 信敬, 岩瀧 雅幸, 露崎 活人, 大久保 智, 蔭浦 泰資, 平岩 篤, 川原田 洋,“縦型2DHGダイヤモンドMOSFET ; ゲート幅10 mmでの大電流動作(~1 A)の達成”, 第66回応用物理学会春季学術講演会、東京工業大学大岡山キャンパス (東京)、2019年3月9日-12日 (口頭、2019年3月11日)
  24. 森下 葵,蔭浦 泰資,露崎 活人,天野 勝太郎,高野 義彦,立木 実, 大井 修一,有沢 俊一,川原田 洋, "液体ヘリウム温度以上で動作可能なボロンドープダイヤモンド超伝導量子干渉計", 第66回応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学大岡山キャンパス(東京), 2019年3月9日-12日(口頭, 2019年3月11日)
  25. 王聞欣,畢特,川原田洋,“ゲート・オーバーラップ構造の水素終端ダイヤモンドMOSFETのシミュレーション”,第66回応用物理学会春季学術講演会,東京工業大学大岡山キャンパス(東京),2019年3月9日−12日(口頭,2019年3月11日)
  26. 河野省三,蔭浦泰資,河合空,Jorge J. Buendia,矢部太一, 川原田洋, “MBEによるダイヤモンド(111)基板上の電気伝導性AlGaN薄膜の成長”第66回応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学大岡山キャンパス(東京), 2019年3月9日-12日,(ポスター, 2019年3月9日)
  27. 平岩 篤,大久保 智,堀川 清貴,川原田 洋,"過渡光支援容量法による絶縁膜/ワイドバンドギャップ半導体界面深い準位の解析",第66回応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学 大岡山キャンパス(東京), 2019年3月9日-12日,(口頭, 2019年3月9日)
  28. 蔭浦泰資、露崎活人、天野勝太郎、森下葵、笹川崇男、川原田洋, "高感度かつ堅牢な単結晶ダイヤモンド超伝導量子干渉計", 学際・国際的高度人材育成ライフイノベーションマテリアル創製 共同研究プロジェクト(6大学連携プロジェクト)第3回公開討論会, 東京工業大学すずかけ台大学会館(横浜), 2019年3月5日(ポスター)
  29. 畢特, 工藤拓也, 山本あおい, 矢部太一, 掘川清貴,佐々木敏夫,平岩篤,川原田洋, "Switching Speed Enhancement with Enlarge Gate width Diamond Cascode Application High Voltage Half-Bridge Inverter ", 学際・国際的高度人材育成ライフイノベーションマテリアル創製共同研究プロジェクト(6大学連携プロジェクト)第3回公開討論会, 東京工業大学すずかけ台大学会館(横浜),2019年3月5日(ポスター)
  30. 費文茜, 稲葉優文, 星野晴華, 露崎活人, 河合空, 岩瀧雅幸, 川原田洋, " Single crystal diamond site-selective growth by remote plasma chemical vapor deposition ", 学際・国際的高度人材育成ライフイノベーションマテリアル創製共同研究プロジェクト(6大学連携プロジェクト)第3回公開討論会, 東京工業大学、すずかけ台大学会館(横浜),2019年3月5日(ポスター)
  31. Chang Yu Hao, Shaili Falina, 河合空, Mohd Syamsul, 井山 裕太郎, 新谷幸弘, 川原田洋, "Nitrogen Terminated Diamond SGFET for pH Sensing in Acidic and Alkaline pH Solutions", 学際・国際的高度人材育成ライフイノベーションマテリアル創製共同研究プロジェクト(6大学連携プロジェクト)第3回公開討論会,  東京工業大学 すずかけ台大学会館(横浜),2019年3月5日(ポスター) 
  32. 平岩 篤,大久保 智,堀川 清貴,川原田洋,"光支援容量電圧法による絶縁膜/ワイドバンドギャップ半導体界面準位の高精度検出",学際・国際的高度人材育成ライフイノベーションマテリアル創製共同研究プロジェクト(6大学連携プロジェクト)第3回公開討論会,東京工業大学 すずかけ台大学会館(横浜),2019年3月5日(ポスター)
  33. 蔭浦泰資、露崎活人、天野勝太郎、森下葵、立木実、大井修一、有沢俊一、高野義彦、川原田洋, "Diamond Josephson Junctions and SQUID for Superconducting Q-bit", 東北大学電気通信研究所-早稲田大学ナノ・ライフ創新研究機構, 共同プロジェクト研究(ナノエレクトロニクスに関する連携研究) 平成30年度研究会, 早稲田大学西早稲田キャンパス(東京), 2019年2月26日(ポスター)
  34. 今西 祥一朗, 大井 信敬, 工藤 拓也, 大久保 智, 堀川 清貴, 平岩 篤, 川原田 洋, "ALD-Al2O3ダイヤモンドMOSFETsの高電圧印加時における高周波特性評価"東北大学電気通信研究所-早稲田大学ナノ・ライフ創新研究機構, 共同プロジェクト研究(ナノエレクトロニクスに関する連携研究) 平成30年度研究会, 早稲田大学西早稲田キャンパス(東京), 2019年2月26日(ポスター)
  35. 西村 隼,岩瀧 雅幸,大井 信敬,堀川 清貴, 天野 勝太郎, 蔭浦 泰資, 平岩 篤,川原田 洋, "縦型2DHGダイヤモンドMOSFET : オーバーラップゲート構造による大電流密度・低オン抵抗化 (Vertical-Type 2DHG Diamond MOSFET : High Current Density and Low On-resistance with Overlapping Gate Electrode)", 東北大学電気通信研究所-早稲田大学ナノ・ライフ創新研究機構, 共同プロジェクト研究(ナノエレクトロニクスに関する連携研究) 平成30年度研究会, 早稲田大学西早稲田キャンパス(東京), 2019年2月26日(ポスター)
  36. 川原田 洋, "相補型パワー高周波回路に向けたダイヤモンド p-FET", 東北大学電気通信研究所-早稲田大学ナノ・ライフ創新研究機構, 共同プロジェクト研究(ナノエレクトロニクスに関する連携研究) 平成30年度研究会, 早稲田大学西早稲田キャンパス(東京), 2019年2月26日(口頭)