WASEDA UNIVERSITY
              
 
 
 

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2019年

国際学会

  1. W. FEI, M. Inaba, H. Hoshino, I. Tsuyuzaki, S. Kawai, M. Iwataki, H. Kawarada,  ”Point-arc remote plasma CVD for single crystal diamond site-selective growth”, Hasselt Diamond Workshop 2019 - SBDD XXIV, Hasselt, Belgium, Mar. 13-15, 2019. (Poster, March 13)
  2. T. Kageura, I. Tsuyuzaki, S. Amano, A.Morishita, M. Tachiki, S. Ooi, S. Arisawa, Y. Takano, H. Kawarada, "Diamond Josephson Junctions and SQUID for Superconducting Q-bit", The 1st International Forum on Quantum Sensing (IFQS2019), Tokyo Institute of Technology, Tokyo, Japan, Feb. 17-19, 2019 (Poster, Best Poster Award, Feb. 18, 2019)
  3. T. Sonoda, S. Kawai, T. Tatsuishi, H. Yamano, J. J. Buendia, T. Kageura, Y. Ishii, K. Nagaoka, R. Fukuda, T. Tanii, M. Haruyama, K. Yamada, S. Onoda, T. Ohshima, W. Kada, O. Hanaizumi, A. Stacey, T. Teraji, S. Kono, J. Isoya, H. Kawarada, “Nitrogen-Terminated Diamond Surface with Shallow NV Centers for Nanoscale NMR”, The 1st International Forum on Quantum Sensing (IFQS2019), Tokyo, Japan, Feb. 17-19, 2019 (Poster, Feb. 18, 2019). 


国内学会

  1. 久樂 顕, 今西 祥一朗, 大井 信敬, 大久保 智, 堀川 清貴, 蔭浦 泰資, 平岩 篤, 川原田 洋, "相補型高周波増幅器応用に向けた(111)ダイヤモンドMOSFETsの高周波特性評価", 第66回応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学大岡山キャンパス(東京), 2019年3月9日-12日(口頭, 2019年3月11日)
  2. 立石 哲也, 薗田 隆弘, 河合 空, 山野 颯, Jorge J. Buendia, 蔭浦 泰資, 石井 邑, 永岡 希朗, 福田 諒介, 谷井 孝至, 春山 盛善, 山田 圭介, 小野田 忍, 加田 渉, 花泉 修, Alastair Stacey, 神田 一浩, 上村 雅治, 寺地 徳之, 磯谷 順一, 河野 省三, 川原田 洋, "高被覆率窒素終端(111)ダイヤモンドの作製", 第66回応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学大岡山キャンパス(東京), 2019年3月9日-12日, (口頭, 2019年3月11日)
  3. 蓼沼 佳斗, 井山 裕太郎, 梶家 美貴, 河下 敦紀, ファリナ シャイリ, 張 育豪, 新谷 幸弘, 川原田 洋, "ダイヤモンド電解質溶液FETを受信器とした海水内での信号伝送", 第66回応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学大岡山キャンパス(東京), 2019年3月9日-12日(口頭, 2019年3月11日)
  4. 西村 隼, 大井 信敬, 岩瀧 雅幸, 露崎 活人, 大久保 智, 蔭浦 泰資, 平岩 篤, 川原田 洋,“縦型2DHGダイヤモンドMOSFET ; ゲート幅10 mmでの大電流動作(~1 A)の達成”, 第66回応用物理学会春季学術講演会、東京工業大学大岡山キャンパス (東京)、2019年3月9日-12日 (口頭、2019年3月11日)
  5. 森下 葵,蔭浦 泰資,露崎 活人,天野 勝太郎,高野 義彦,立木 実, 大井 修一,有沢 俊一,川原田 洋, "液体ヘリウム温度以上で動作可能なボロンドープダイヤモンド超伝導量子干渉計", 第66回応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学大岡山キャンパス(東京), 2019年3月9日-12日(口頭, 2019年3月11日)
  6. 王聞欣,畢特,川原田洋,“ゲート・オーバーラップ構造の水素終端ダイヤモンドMOSFETのシミュレーション”,第66回応用物理学会春季学術講演会,東京工業大学大岡山キャンパス(東京),2019年3月9日−12日(口頭,2019年3月11日)
  7. 河野省三,蔭浦泰資,河合空,Jorge J. Buendia,矢部太一, 川原田洋, “MBEによるダイヤモンド(111)基板上の電気伝導性AlGaN薄膜の成長”第66回応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学大岡山キャンパス(東京), 2019年3月9日-12日,(ポスター, 2019年3月9日)
  8. 平岩 篤,大久保 智,堀川 清貴,川原田 洋,"過渡光支援容量法による絶縁膜/ワイドバンドギャップ半導体界面深い準位の解析",第66回応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学 大岡山キャンパス(東京), 2019年3月9日-12日,(口頭, 2019年3月9日)
  9. 蔭浦泰資、露崎活人、天野勝太郎、森下葵、笹川崇男、川原田洋, "高感度かつ堅牢な単結晶ダイヤモンド超伝導量子干渉計", 学際・国際的高度人材育成ライフイノベーションマテリアル創製 共同研究プロジェクト(6大学連携プロジェクト)第3回公開討論会, 東京工業大学すずかけ台大学会館(横浜), 2019年3月5日(ポスター)
  10. 畢特, 工藤拓也, 山本あおい, 矢部太一, 掘川清貴,佐々木敏夫,平岩篤,川原田洋, "Switching Speed Enhancement with Enlarge Gate width Diamond Cascode Application High Voltage Half-Bridge Inverter ", 学際・国際的高度人材育成ライフイノベーションマテリアル創製共同研究プロジェクト(6大学連携プロジェクト)第3回公開討論会, 東京工業大学すずかけ台大学会館(横浜),2019年3月5日(ポスター)
  11. 費文茜, 稲葉優文, 星野晴華, 露崎活人, 河合空, 岩瀧雅幸, 川原田洋, " Single crystal diamond site-selective growth by remote plasma chemical vapor deposition ", 学際・国際的高度人材育成ライフイノベーションマテリアル創製共同研究プロジェクト(6大学連携プロジェクト)第3回公開討論会, 東京工業大学、すずかけ台大学会館(横浜),2019年3月5日(ポスター)
  12. Chang Yu Hao, Shaili Falina, 河合空, Mohd Syamsul, 井山 裕太郎, 新谷幸弘, 川原田洋, "Nitrogen Terminated Diamond SGFET for pH Sensing in Acidic and Alkaline pH Solutions", 学際・国際的高度人材育成ライフイノベーションマテリアル創製共同研究プロジェクト(6大学連携プロジェクト)第3回公開討論会,  東京工業大学 すずかけ台大学会館(横浜),2019年3月5日(ポスター) 
  13. 平岩 篤,大久保 智,堀川 清貴,川原田洋,"光支援容量電圧法による絶縁膜/ワイドバンドギャップ半導体界面準位の高精度検出",学際・国際的高度人材育成ライフイノベーションマテリアル創製共同研究プロジェクト(6大学連携プロジェクト)第3回公開討論会,東京工業大学 すずかけ台大学会館(横浜),2019年3月5日(ポスター)
  14. 蔭浦泰資、露崎活人、天野勝太郎、森下葵、立木実、大井修一、有沢俊一、高野義彦、川原田洋, "Diamond Josephson Junctions and SQUID for Superconducting Q-bit", 東北大学電気通信研究所-早稲田大学ナノ・ライフ創新研究機構, 共同プロジェクト研究(ナノエレクトロニクスに関する連携研究) 平成30年度研究会, 早稲田大学西早稲田キャンパス(東京), 2019年2月26日(ポスター)
  15. 今西 祥一朗, 大井 信敬, 工藤 拓也, 大久保 智, 堀川 清貴, 平岩 篤, 川原田 洋, "ALD-Al2O3ダイヤモンドMOSFETsの高電圧印加時における高周波特性評価"東北大学電気通信研究所-早稲田大学ナノ・ライフ創新研究機構, 共同プロジェクト研究(ナノエレクトロニクスに関する連携研究) 平成30年度研究会, 早稲田大学西早稲田キャンパス(東京), 2019年2月26日(ポスター)
  16. 西村 隼,岩瀧 雅幸,大井 信敬,堀川 清貴, 天野 勝太郎, 蔭浦 泰資, 平岩 篤,川原田 洋, "縦型2DHGダイヤモンドMOSFET : オーバーラップゲート構造による大電流密度・低オン抵抗化 (Vertical-Type 2DHG Diamond MOSFET : High Current Density and Low On-resistance with Overlapping Gate Electrode)", 東北大学電気通信研究所-早稲田大学ナノ・ライフ創新研究機構, 共同プロジェクト研究(ナノエレクトロニクスに関する連携研究) 平成30年度研究会, 早稲田大学西早稲田キャンパス(東京), 2019年2月26日(ポスター)
  17. 川原田 洋, "相補型パワー高周波回路に向けたダイヤモンド p-FET", 東北大学電気通信研究所-早稲田大学ナノ・ライフ創新研究機構, 共同プロジェクト研究(ナノエレクトロニクスに関する連携研究) 平成30年度研究会, 早稲田大学西早稲田キャンパス(東京), 2019年2月26日(口頭)