WASEDA UNIVERSITY
              
 
 
 

2024
2023
2022
2021
2020
2019
2018
2017
2016
2015
2014
2013
2012
2011
2010
2009
2008
2007
2006
2005
2004
2003
2002
2001
2000
1999
1998
1997

   

2022年

国際学会

  1. K. Ota, Y. Fu, K. Narita, C. Wakabayashi, A. Hiraiwa, H. Kawarada, “Normally-off operation in (001) Vertical Diamond MOSFET using Oxidized Si termination diamond channel", 2022 MRS Fall Meeting & Exhibit, Boston, USA, Nov. 27-Dec. 2, 2022(Oral, Nov. 30 2022)
  2. K. Hayasaka, M. Ueda, K. Kanehisa, Y. Ueda, K. Otani, T. Tanii, T. Kageura, S. Onoda, S. Kono, H. Kawarada,"High-Density NV Ensemble Produced by Electron Irradiation of Ultra High-Concentration Nitrogen-doped CVD Diamond", 2022 MRS Fall Meeting & Exhibit, Boston, USA, Nov 27-Dec 2, 2022.(Oral, Nov. 29,2022)
  3. A. Takahashi, M. Arai, F. Asai, Y. Suzuki, A. Hiraiwa, H. Kawarada, “2DHG diamond MOSFETs with multi-finger structure for gate width expansion and improved RF characteristics”, 2022 MRS Fall meeting & Exhibit, Boston, USA, Nov 27-Dec 2, 2022(Oral, Nov. 30, 2022)
  4. R. Nomoto, H. Sato, Y. H.Chang, H. Kawarada, "Proposal of A Common Gate Method Suitable for Multi Sensing Using Diamond Electrolyte Solution Gate FETs", 2022 MRS Fall Meeting & Exhibit, Boston, USA, Nov. 27-Dec. 2, 2022. (Oral, Nov. 28, 2022)
  5. C. Wakabayashi, Y. Takahashi, T. Kageura, Y. Takano, M. Tachiki, S. Ooi, S. Arisawa, H. Kawarada,"1.6K Operation of Diamond FETs with Superconducting Diamond Sources and Drains targeting JoFET or SCFET operation", 2022 MRS Fall Meeting &Exhibit, Boston, USA, Nov 27-Dec 2, 2022. (Oral, Nov. 30, 2022)
  6. M. Ueda, K. Hayasaka, K. Kanehisa, Y. Takahashi, C. Wakabayashi, T. Kageura, H. Kawarada, "Ultra High-Concentration Nitrogen-doped CVD Diamond with Highest Crystallinity" 2022 MRS Fall Meeting & Exhibit, Boston, USA, Nov 27-Dec 2, 2022.(Poster, Nov. 29, 2022) (Best Student Poster Award)
  7. K. Hayasaka, M. Ueda, K. Kanehisa, T. Tanii, S. Onoda, S. Enemoto, S. Kono, H. Kawarada, "High-Density NV Centers of Ultra High-Concentration Nitrogen-doped CVD Diamond Using Vacancies Created by Transmission Electron Microscope," The 2nd Internatioal Symposium on Design & Engineering by Joint Inverse Innovation for Materials Architecture(DEJI2MA), Senri Life Science Center, Osaka, Japan, Oct. 25, 2022(Poster)
  8. K. Ota, Y. Fu, K. Narita, C. Wakabayashi, A. Hiraiwa, H. Kawarada, "Achievement of the first Normally-off operation in Vertical Diamond MOSFETs using Oxidized Si termination diamond channel", The 2nd Internatioal Symposium on Design & Engineering by Joint Inverse Innovation for Materials Architecture(DEJI2MA), Senri Life Science Center, Osaka, Japan, Oct. 25, 2022(Poster)
  9. H. Sato, K. Masadome, L. Nomoto, Y. H. Chang, H. Kawarada, "Seawater Wireless Communication in Pipe filled with Seawater Mediated by Ions in Electrolyte Solutions by utilizing Diamond Solution Gate FET," The 2nd Internatioal Symposium on Design & Engineering by Joint Inverse Innovation for Materials Architecture(DEJI2MA), Senri Life Science Center, Osaka, Japan, Oct. 25, 2022(Poster)
  10. F. Asai, M. Arai, A. Takahashi, Y. Suzuki, A. Hiraiwa, H. Kawarada, "Multi-finger 2DHG diamond MOSFETs with air-bridge structure for gate width expansion and improved RF characteristics", The 2nd Internatioal Symposium on Design & Engineering by Joint Inverse Innovation for Materials Architecture(DEJI2MA), Senri Life Science Center, Osaka, Japan, Oct. 25, 2022(Poster)
  11. ReonaNomoto,HirotakaSato, Yu Hao Chang, Hiroshi Kawarada, "Multi-Sensing Using Ion-Sensitive FETs by Common-Gate Method", The 2nd Internatioal Symposium on Design & Engineering by Joint Inverse Innovation for Materials Architecture(DEJI2MA), Senri Life Science Center, Osaka, Japan, Oct. 25, 2022(Poster)
  12. H. Kawarada, , Y. Takahashi, , C. Wakabayashi, M. Tachiki,, S. Ooi, S. Arisawa, Y. Takano, "Diamond superconductivity for Josephson junction, SQUID and FET application," 2022 JSPS 146th Committee International Symposium on Superconductor Electronics, 15th Superconducting SFQ VLSI Workshop, 4th Workshop on Quantum and Classical Cryogenic Devices, Circuits, and Systems, Kyoto Research Park(Kyoto), Japan, Sept. 28-30, 2022 (Invited, Sept. 29, 2022)
  13. C. Wakabayashi, Y. Takahashi, T. Kageura, Y. Takano, M. Tachiki, S. Ooi, S. Arisawa, H. Kawarada, "Low Temperature Operation of 2DHG Diamond FETs with Superconducting Diamond Sources and Drains aiming at JoFET or SCFET operation," 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2022), Sept. 26-29, 2022 (Online-Oral, Sep. 27, 2022)
  14. M. Ueda, K. Hayasaka, K. Kanehisa, Y. Takahashi, C. Wakabayashi, T. Kageura, H. Kawarada, "Characterization of Ultra High-Concentration Nitrogen-doped CVD Diamond" 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2022), Sept. 26-29, 2022 (Online-Oral, Sep. 27, 2022)
  15. A. Takahashi, M. Arai, Y. Suzuki, F. Asai, A. Hiraiwa, M. Tsuru, Y. Yamaguchi, Y. Komatsuzaki, K. Kudara, H. Kawarada, "2DHG diamond MOSFETs with multi-finger structure for gate width expansion and improved RF characteristics," 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2022), Sept. 26-29, 2022 (Online-Oral, Sep. 28, 2022)
  16. H. Kawarada, "Oxidized Si terminated (C-Si-O) diamond and ultra highly boron doped diamond for industrial device application", NDNC 2022, Kanazawa, Japan, Jun. 6-9, 2022.(Invited, Jun. 8, 2022)
  17. H. Kawarada, "Vertical Diamond p-FETs with Normally-Off Operation for Complementary High Power and High Speed Inverters", 2022 MRS Spring Meeting & Exhibit, Hawaii, USA, May 8-13, 2022. (Invited, May 10, 2022)

 

国内学会

  1. 川原田 洋, "C-Si-O終端チャネル縦型ダイヤモンドパワーMOSFET", 応用物理学会先進パワー半導体分科会 第9回講演会, 福岡国際会議場, 2022年12月20日-21日(招待講演, 12月21日)
  2. 淺野雄大, 早坂京祐, 上田真由, 金久京太郎, 蔭浦泰資, 谷井孝至, 小野田忍, 榎本心平, 河野省三, 川原田洋“高濃度窒素ドープCVDダイヤモンドに作製したNVアンサンブルのスピン特性評価” 第36回ダイヤモンドシンポジウム, 慶應義塾大学矢上キャンパス(神奈川)(11月18日のみオンライン開催), 2022年11月16日-18日(口頭, 2022年 11月16日)
  3. 成田 憲人, 太田 康介, 付 裕, 若林 千幸, 平岩 篤, 川原田 洋, "C-Si-O側壁チャネルによる縦型ダイヤモンドMOSFETのノーマリーオフ動作", 第36回ダイヤモンドシンポジウム, 慶應義塾大学矢上キャンパス(神奈川)(11月18日のみオンライン開催), 2022年11月16日-18日(口頭)
  4. 竹内雅治, 若林千幸, 高橋泰裕, 太田康介, 蔭浦泰資,高野義彦,立木実,大井修一,有沢俊一, 川原田洋, "近接効果型の超伝導ダイヤモンドFET実現に向けた極低温(1.6 K)動作検証", 第36回 ダイヤモンドシンポジウム, 慶應義塾大学矢上キャンパス(神奈川)(11月18日のみオンライン開催), 2022年11月16日-18日(口頭, 2022年11月17日)
  5. 長幸宏,荒井雅一,高橋輝,浅井風雅,鈴木優紀子,平岩篤,川原田洋, "エアブリッジマルチフィンガー構造を有するダイヤモンド MOSFETs によるゲート幅拡大時の高周波特性劣化の大幅な抑制", 第36回ダイヤモンドシンポジウム, 慶應義塾大学矢上キャンパス(神奈川)(11月18日のみオンライン開催) (口頭, 11月17日)
  6. 橋本裕太郎, 若林千幸, 高橋泰裕, 蔭浦泰資, 高野義彦, 立木実, 大井修一, 有沢俊一,川原田洋, "稜線伝導構造による単結晶ダイヤモンドジョセフソン接合の微細化とSQUID動作",第36回ダイヤモンドシンポジウム, 慶應義塾大学矢上キャンパス(神奈川) (11月18日のみオンライン開催) (ポスター,11月18日)」
  7. 太田康介, 付裕, 成田憲人, 若林千幸, 平岩篤, 川原田洋, "C-Si-O側壁チャネルを有した縦型ダイヤモンドMOSFETのノーマリーオフ動作達成", 第9回 ZAIKEN Festa, 早稲田大学各務記念材料技術研究所(東京), 2022年10月6日 (ポスター, 2022年10月6日, 最優秀賞受賞)
  8. 早坂京祐, 上田真由, 淺野雄大, 金久京太郎, 木村晃介, 谷井孝至, 小野田忍, 榎本心平, 河野省三, 川原田洋, "超高濃度窒素ドープCVDダイヤモンドに作製した高濃度NVセンター", 第9回ZAIKEN Festa, 早稲田大学各務記念材料技術研究所(東京), 2022年10月6日(ポスター, 2022年10月6日, 優秀賞受賞)
  9. Xuezhen Jia, 鈴木 優紀子, 出口 祐靖, 浅井 風雅, 高橋 輝, 太田 康介, 平岩 篤, 金子 純一, 川原田 洋, "P++ソース・ドレイン層を導入した2DHGダイヤモンドMOSFETsの放射線照射効果”, 第83回応用物理学会秋季学術講演会, 東北大学 川内北キャンパス(宮城), 2022年9月20日-23日(口頭, 2022年9月23日)
  10. 成田 憲人, 太田 康介, 付 裕, 若林 千幸, 平岩 篤, 川原田 洋, "C-Si-O側壁チャネルによる縦型ダイヤモンドMOSFETのノーマリーオフ動作", 第83回応用物理学会秋季学術講演会, 東北大学川内北キャンパス (宮城), 2022年9月20日-23日 (口頭, 2022年9月23日)
  11. 竹内雅治, 若林千幸, 高橋泰裕, 太田康介, 蔭浦泰資, 高野義彦, 立木実, 大井修一, 有沢俊一, 川原田洋, "超伝導ソース•ドレイン間のチャネル微細化と極低温(1.6K)でのドレイン電流変調", 第83回 応用物理学会秋季学術講演会, 東北大学 川内北キャンパス(宮城), (口頭, 2022年9月23日)
  12. 淺野雄大, 早坂京祐, 上田真由, 金久京太郎, 蔭浦泰資, 谷井孝至, 小野田忍, 榎本心平, 河野省三, 川原田洋, "高濃度窒素ドープCVDダイヤモンドに作製したNVアンサンブルのスピン特性評価", 第83回秋季応用物理学会学術講演会, 東北大学 川内北キャンパス(宮城), 2022年9月20日-23日(口頭, 2022年 9月23日)
  13. 橋本裕太郎, 若林千幸, 高橋 泰裕, 蔭浦 泰資, 高野 義彦, 立木 実, 大井 修一, 有沢 俊一, 川原田 洋, “稜線伝導構造ジョセフソン接合によるダイヤモンドSQUIDの作製", 第83回応用物理学会秋季学術講演会, 東北大学 川内北キャンパス(宮城),              2022年9月20日-23日(口頭, 2022年9月23日)
  14. 高橋 輝, 長 幸宏, 荒井 雅一, 浅井 風雅, 平岩 篤, 川原田 洋,  "マルチフィンガー構造の導入による2DHGダイヤモンド MOSFETs のゲート幅拡大と高周波特性の改善", 第83回応用物理学会秋季学術講演会 東北大学川内北キャンパス(宮城), 2022年9月21日-23日 (口頭, 2022年9月23日)
  15. 正留康太、佐藤弘隆、野本玲於奈、張育豪、川原田洋、"電解質溶液内のイオンを媒介とする海水パイプ中の無線通信", 電子情報通信学会 2022年ソサイエティ大会 通信ソサイエティ、オンライン開催, 2022年9月6日-9日 (口頭、2022年9月7日)
  16. 若林千幸, 高橋 泰裕, 太田 康介, 新倉 直弥, 荒井 雅一, 蔭浦 泰資, 高野 義彦, 立木 実, 大井 修一, 有沢 俊一, 川原田 洋, "超伝導ソースドレインを有する2DHGダイヤモンドMOSFETの低温動作", 第69回応用物理学会春季学術講演会, ハイブリッド開催(青山学院大学 相模原キャンパス+オンライン), 2022年3月22日-26日(口頭, 2022年3月25日)
  17. 野本玲於奈, 川口 柊斗, 佐藤弘隆, 寳田晃翠, 張 育豪, 川原田洋, "ゲート接地型ISFETおよびステンレス容器とのダイヤモンド電解質溶液ゲートFETによる室温および高温(80 ℃)におけるpHセンシング", 第69回応用物理学会春季学術講演会, ハイブリッド開催(青山学院大学 相模原キャンパス+オンライン), 2022年3月22日-26日(口頭, 2022年3月24日),
  18. 上田真由, 早坂京祐, 金久京太郎, 高橋泰裕, 若林千幸, 蔭浦泰資, 川原田洋, "超高濃度窒素ドープCVDダイヤモンドの作製と物性評価", 第69回 応用物理学会 春季学術講演会, ハイブリッド開催(青山学院大学 相模原キャンパス+オンライン), 2022年3月22日-26日 (口頭, 2022年3月25日)
  19. 行木 佑太,畢 特,角田 隼,新倉 直弥,荒井 雅一,平岩 篤,川原田 洋,“C-Si結合2DHGダイヤモンドMOSFET;低温(10 K)でのノーマリーオフ特性と広い温度安定性(10-573 K)”, 第69回応用物理学会春季学術講演会、ハイブリッド開催(青山学院大学 相模原キャンパス+オンライン)、2022年3月22日-26日 (口頭、2022年3月22日)
  20. 上田真由, 早坂京祐, 金久京太郎, 高橋泰裕, 若林千幸, 蔭浦泰資, 川原田洋, "超高濃度窒素ドープCVDダイヤモンド・ホモエピタキシャル成長と結晶伸長評価", 2021年度 第8回 ZAIKEN Festa, 早稲田大学各務記念材料技術研究所, オンライン開催, 2022年3月2日 (口頭, 2022年3月2日)
  21. 高橋輝, 鈴木優紀子, 浅井風雅, 荒井雅一, 平岩篤, 川原田洋、"高出力化に向けたフィールドプレート構造を有するショットキーゲートダイヤモンドMESFETsの作製"、第8回ZAIKEN Festa, 早稲田大学各務記念材料技術研究所, オンライン開催, 2022年3月2日(ポスター, 2022年3月2日)