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2000
1999
1998
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2016年

国際学会

  1. T. Kageura, M. Shibata,  Y. Sasama, T. Yamaguchi, Y. Takano, H. Kawarada, "Lattice strain in superconducting boron-doped diamond", IWSRFM 2016 (International Workshop on Superconductivity and Related Functional Materials), Tsukuba, Japan, Dec. 20-22, 2016. (oral)
  2. M. Hideko, T. Kageura, I. Tuyuzaki, M. Shibata, Y. Kitabayashi, Y. Sasama, T. Yamaguchi, Y. Takano, M. Tachiki, S. Ooi, K. Hirata, S. Arisawa, H. Kawarada, “Boron-doped diamond SQUID with regrowth-induced step edge structure Josephson junction”, IWSRFM 2016(International Workshop on Superconductivity and Related Functional Materials), Tukuba, Japan, Dec.20-22, 2016. (poster)
  3. A. Hiraiwa, D. Matsumura, H. Kawarada,"Atomic-Layer-Deposition Temperature Effect on Current Conduction in Al2O3 Films as Investigated Using Space-Charge-Controlled Field Emission Model", 2016 MRS Fall Meeting & Exhibit, Boston, USA, Nov. 27-Dec. 2, 2016. (oral)
  4. M. Inaba, H. Yamano, T. Kageura, and H. Kawarada, "Vertically Oriented Graphite Layer Formed on (001) Diamond by Hot Implantation and High Temperature Annealing", 2016 MRS Fall Meeting& Exhibit, Boston, USA, Nov. 27-Dec. 2, 2016. (poster)
  5. T. Kudo, Y. Kitabayashi, D. Matsumura, Y. Hayashi, M. Inaba, A. Hiraiwa H. Kawarada, "Over 2000 V Breakdown Voltage of Normally-off C-H Diamond MOSFETs with high threshold voltage", 2016 MRS Fall Meeting & Exhibit, Boston, USA, Nov. 27- Dec 2, 2016. (oral)
  6. M. Hideko, T. Kageura, I. Tuyuzaki, M. Shibata, Y. Kitabayashi, Y. Sasama, T. Yamaguchi, Y. Takano, M. Tachiki, S. Ooi, K. Hirata, S. Arisawa, H. Kawarada " Superconducting Boron-doped Diamond Josephson Junction with Regrowth-induced Step Edge Structure", 2016 MRS Fall Meeting & Exhibit, Boston, USA, Nov. 27-Dec. 2, 2016. (oral)
  7. H. Yamano, K. Kato, T. Kageura, M. Inaba, T. Okada, I. Higashimata, M. Haruyama, T. Tanii, S. Onoda, W. Kada, O. Hanaizumi, T. Teraji, J. Isoya, H. Kawarada, "Charge State Stabilization of Shallow Nitrogen Vacancy Centers in Diamond by Oxygen Ambient Surface Modification", 2016 MRS Fall Meeting & Exhibit, Boston, USA, Nov. 27-Dec. 2, 2016. (poster)
  8. K. Igarashi, T. Naramura, S. Falina, S. Abe, M. Inaba, Y. Shintani, A. Hiraiwa, H. Kawarada, "Common-Gate Measurement System of Solution-Gate Field-Effect Transistor for pH Sensing", 2016 MRS Fall Meeting & Exhibit, Boston, USA, Nov. 27-Dec. 2, 2016. (oral)
  9. K. Kato, H. Yamano, T. Kageura, M. Inaba, M. Haruyama, Evi Suaebah, O.Hanaizumi, W. Kada, S. Onoda, T. Teraji, J. Isoya, H. Kawarada, "The Electron States of Shallow NV Centers after DNA Immobilization on Partially NH 2 Terminated Diamond", 2016 MRS Fall Meeting & Exhibit, Boston, USA, Nov. 27-Dec. 2, 2016. (oral)
  10. T. Muta, N. Oi, M. Inaba, T. Saito, D. Matsumura, T. Kudo, A. Hiraiwa, H. Kawarada "Vertical MOSFETs-Using C-H Diamond with Trench-Channel " , 2016 MRS Fall Meeting & Exhibit, Boston, USA, Nov. 27-Dec. 2, 2016 (oral)
  11. W. Fei, M. Inaba, Y. Hirano, H. Masuda, H. Kawarada, "Diamond Nanocylinder Forest Formed by Porous Alumina Template", 2016 MRS Fall Meeting & Exhibit, Boston, USA, Nov. 27-Dec. 4, 2016.(poster)
  12. T. Kageura, M. Hideko, M. Shibata, Y. Sasama, T. Yamaguchi, Y. Takano, H.Kawarada, "Stacking Faults and Twins Induced by Lattice Relaxation in Superconducting Boron-Doped Diamond Synthesized by Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition", 2016 MRS Fall Meeting & Exhibit, Boston, USA, Nov. 27- Dec. 2, 2016 (poster)
  13. T. Kamiya, K. Ide, H. Hiramatsu (TIT), Y. Setsuhara (Osaka Univ.), A. Hiraiwa, H. Kawarada (Waseda Univ.), H. Hosono (TIT), “Development of New Amorphous Oxide Semiconductor by Controlling Defects”, iLIM-1, Osaka, Japan, Oct. 17-18, 2016 (poster).
  14. K. Ide, M. Ota (TIT), K. Takenaka, Y. Setsuhara (Osaka Univ.), A. Hiraiwa, H. Kawarada (Waseda Univ.), H. Hiramatsu, H. Hosono, T. Kamiya (TIT), “Complementary Study for Effects of Annealing on Density and Pore Structures in Amorphous In-Ga-Zn-O Thin-Film Transistors”,  iLIM-1, Osaka, Japan, Oct. 17-18, 2016 (poster).
  15. A. Hiraiwa, D. Matsumura, S. Okubo, H. Kawarada, "Current Conduction in Atomic-Layer-Deposition Al2O3 as Investigated Based on Space-Charge-Controlled Field Emission Model",  iLIM-1, Osaka, Japan, Oct. 17-18, 2016 (poster).
  16. T. Kudo, Y. Kitabayashi, D. Matsumura, Y. Hayashi, M. Inaba, A. Hiraiwa H. Kawarada, "Gate Threshold Voltage Control of C-H Diamond MOSFETs", International Conference on Solid State Devices and Materials, Tsukuba, Japan, Sep. 26-29, 2016. (oral)
  17. M. Hideko, T. Kageura, I. Tuyuzaki, M. Shibata, Y. Kitabayashi, Y. Sasama, T. Yamaguchi, Y. Takano, M. Tachiki, S. Ooi, K. Hirata, S. Arisawa and H. Kawarada “Superconducting (111) Boron-doped Diamond Josephson Junction with Regrowth-induced (001) Step Edge Structure”, 2016 International Conference on Solid State Devices and Materials, Tukuba, Japan,, Sep. 26-29, 2016 . (oral)
  18. T. Muta, T. Saito, M. Inaba, D. Matsumura, T. Kudo, Y. Kitabayashi, A. Hiraiwa, H. Kawarada "Vertical MOSFET using C-H Diamond with Trench-channel" , 2016 International Conference on Solid State Devices and Materials. Tsukuba, Japan, Sep. 26-29, 2016 (oral)
  19. H. Yamano, K. Kato, T. Kageura, M. Inaba, T. Okada, I. Higashimata, M. Haruyama, T. Tanii, S. Onoda, W. Kada, O. Hanaizumi, T. Teraji, J. Isoya, H. Kawarada, "Coherence Properties and Charge Stability of Shallow Implanted Nitrogen Vacancy Centers in 12C enriched Diamond", 2016 International Conference on Solid State Devices and Materials, Tsukuba, Japan, Sep. 26-29, 2016 . (oral)
  20. H.Kawarada, Y.Kitabayashi, M.Syamsul N.S.B., M.Shibata, D.Matsumura, T.Kudo, A.Hiraiwa, "Planer Diamond P-channel MOSFETs with Breakdown Voltage VB > 1.8kV and High Drain Current Density by 2DHG", 2016 International Conference on Solid State Devices and Materials, Tsukuba, Japan, Sep. 26-29, 2016 . (oral, invited)
  21. M.Syamsul, Y.Kitabayashi, D.Matsumura, H.Kawarada,"High endurance white polycrystalline diamond FET for power device application",2016. International Conference on Diamond and Carbon Materials. Le Corum, Montpellier, France. 4-8 September 2016 (Oral)
  22. M.Syamsul, Y.Kitabayashi, D.Matsumura, H.Kawarada,"Cost effective white polycrystalline diamond FET using 2D hole gas",2016. NANO KOREA 2016 Symposium. KINTEX, Ilsan, Korea, 13 – 15 July 2016. (Oral)
  23. H. Kawarada, "Diamond Power MOSFETs using 2 Dimensional Hole Gas", 2016 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2016), Hakodate, Japan, 4-6 July 2016 (oral, invited)
  24. H. Kawarada, T. Yamada, D. Xu, Y. Kitabayashi, M. Shibata, D. Matsumura, M. Kobayashi, T. Saito, T. Kudo, M. Inaba, A. Hiraiwa, "Diamond MOSFETs Using 2D Hole Gas with 1700V Breakdown Voltage", 28th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, Prague, Czech Republic, 12-16 June 2016. (oral)
  25. H. Kawarada, Y. Kitabayashi , M. Shibata , D. Matsumura , T. Saito , T. Kudo , T. Muta, M. Inaba , A. Hiraiwa, "Diamond as Power Electronics Platform", 10th International Conference on New Diamond and Nano Carbons(NDNC2016), The Westin Xi’an, China, 22-26 May 2016. (oral, invited)
  26. W. Fei, M.Inaba, Y.Hirano, H.Masuda , H.Kawarada, "Growth of diamond nanorods using antenna-edge-type microwave plasma-assisted chemical vapor deposition", 10th International Conference on New Diamond and Nano Carbons(NDNC2016), The Westin Xi’an, China, 22-26 May 2016.  2016.(oral)
  27. E. Suaebah , Y. Seshimo, T. Naramura, M. Hasegawa , H. Kawarada, "Amine termination of nanocrystalline diamond surface by nitrogen radical beam (NRB) for biosensing application", 10th International Conference on New Diamond and Nano Carbons(NDNC2016), The Westin Xi’an, China, 23-26 June 2016.(oral・Young Scholar Award)
  28. S. Kono, M. Inaba, A. Hiraiwa, and H. Kawarada, "Electric properties of Au ohmic-contact on hydrogen-terminated surface-conductive diamond (001)," 10th Intern. Conf. New Diamond Nano Carbonds, Xi'an China, May 22-26, 2016. (oral)
  29. T.Kageura, M.Shibata, M.Hideko, Y.Sasama, T.Yamaguchi, Y.Takano, H.Kawarada, "Physical Properties of Superconducting Boron-Doped Diamonds", 2016 MRS Spring Meeting & Exhibit, Phoenix, USA, March 28-April 1, 2016. (oral)
  30. H.Kawarada, Y.Kitabayashi, M.Shibata, Y.Hayashi, A.Hiraiwa, "Normally-Off C-H Diamond MOSFET with the Breakdown Voltage of Above 2000V", 2016 MRS Spring Meeting & Exhibit, Phoenix, USA, March 28-April 1　 (oral)
  31. E. Suaebah, T. Naramura, M. Hasegawa, H. Kawarada."Diamond functionalization for Biosensing Application", 2016. The 6th Basic Science International Meeting. Malang, Indonesia, 2-3 March 2016. (oral)
  32. E. Suaebah, T. Naramura,H. Kawarada, "Direct partial CH3 termination into carboxyl terminated diamond surface for biosensor",2016.The 6th Basic Science International Meeting. Malang, Indonesia, 2-3 March 2016. (poster)

 

国内学会

  1. 河野　省三, 佐々木　敏夫, 稲葉　優文, 平岩　篤, 川原田　洋, "水素終端ダイヤモンド(001)表面伝導層上の金オーミック電極直下のシート抵抗値", 第30回ダイヤモンドシンポジウム, 東京大学 駒場リサーチキャンパス コンベンションホール, 2016年11月16日-18日（口頭）
  2. 河合 空，山野 楓，梶家美貴，加藤かなみ，蔭浦泰資，稲葉優文，岡田拓真, 東又 格,春山盛善, 谷井孝至，山田圭介,小野田 忍，加田 渉，花泉 修,寺地徳之,磯谷順一，川原田 洋, "酸素雰囲気中の熱処理による浅いNVセンターのスピン特性改善"，第30回ダイヤモンドシンポジウム，東京大学 駒場リサーチキャンパス，2016年11月16日-18日 （口頭）
  3. 露崎 活人, 蔭浦 泰資, 日出幸昌邦, 笹間 陽介, 山口 尚秀, 高野 義彦, 立木 実, 大井 修一, 平田 和人, 有沢 俊一, 川原田 洋, "ボロンドープダイヤモンド超伝導量子干渉計の特性評価”, 第30回ダイヤモンドシンポジウム, 東京大学 駒場リサーチキャンパス コンベンションホール, 2016年11月16日-18日 （口頭） 
  4. 大井信教，工藤拓也，牟田 翼，大久保 智，稲葉優文，平岩 篤，川原田 洋, "高温 ALD Al2O3ゲート絶縁膜を持つC-HダイヤモンドMOSFETの温度特性", 第30回ダイヤモンドシンポジウム, 東京大学　駒場リサーチキャンパス コンベンションホール, 2016年11月16日-18日（口頭）
  5. 梶家美貴，加藤かなみ，河合 空，山野 楓，S.Evi，蔭浦泰資，稲葉優文，東又 格，春山盛善，谷井孝至，山田圭介，小野田 忍，寺地徳之，加田 渉，花泉 修，磯谷順一，河野省三，川原田 洋, "DNAのNMR検出に向けた部分NH２終端ダイヤモンド中の浅いNVセンター",第30回ダイヤモンドシンポジウム, 東京大学 駒場リサーチキャンパス コンベンションホール, 2016年11月16日-18日 （ポスター）
  6. 蔭浦泰資，柴田将暢，山口尚秀，高野義彦，川原田 洋“超伝導ボロンドープダイヤモンド中の格子歪みと格子緩和”第30回ダイヤモンドシンポジウム, 東京大学, 11月16-18日（口頭）
  7. 稲葉優文，関 章憲，佐藤和明，櫛田知義，平岩 篤，川原田 洋, "ダイヤモンドへのイオン注入・高温アニールによる表面形成物",第30回ダイヤモンドシンポジウム, 東京大学　駒場リサーチキャンパス コンベンションホール, 2016年11月16日-18日（口頭）
  8. 蔭浦泰資　”超伝導ボロンドープダイヤモンド中の歪み層と緩和層”　第3回ZAIKENフェスタ、各務記念材料技術研究所、2016年11月10日(ポスター・最優秀賞）
  9. Wenxi Fei, Masafumi Inaba, Yu Hirano, Hideki Masuda, Hiroshi Kawarada, “Growth of Diamond Nanocylinder Forest Using Template-Assisted Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition”,　 第3回ZAIKENフェスタ，各務記念材料技術研究所，2016年11月10日(ポスター）
  10. 加藤かなみ、河野省三、川原田洋、”NVセンターを用いたダイヤモンド表面DNAのNMR検出”、第3回ZAIKENフェスタ、各務記念材料技術研究所、2016年11月10日（ポスター）
  11. 平岩　篤, "ダイヤモンドパワー素子および同ゲート絶縁・パッシベーション技術", 各務記念材料技術研究所オープンセミナー、2016年10月14日（口頭）.
  12. 露崎 活人, 蔭浦 泰資, 日出幸 昌邦, 笹間 陽介, 山口 尚秀, 高野 義彦, 川原田 洋, "追成長を用いたステップエッジ構造ジョセフソン接合によるボロンドープダイヤモンド超伝導量子干渉計", 第77回応用物理学会秋季学術講演会, 朱鷺メッセ（新潟）, 2016年9月13日-16日（口頭）
  13. 大久保 智、松村 大輔、平岩 篤、川原田 洋 "酸化剤を変えて形成した原子層堆積Al2O3膜の電気特性"、第77回応用物理学会秋季学術講演会,朱鷺メッセ,2016年9月15日　（口頭）
  14. 大井 信敬, 工藤 拓也, 牟田 翼, 松村 大輔, 大久保 智, 稲葉 優文, 平岩 篤, 川原田 洋、 "C-H ダイヤモンド MOSFET の動作特性の温度依存性"、第77回応用物理学会秋季学術講演会、朱鷺メッセ(新潟)、2016年9月13日-16日 （口頭）
  15. 河合 空  , 山野 颯  , 梶家 美貴 , 加藤 かな み  , 蔭浦 泰資  , 稲葉 優文  , 岡田 拓真  , 東又 格  , 春山 盛善 , 谷井 孝至  , 山田 圭介  , 小野田 忍  , 寺地 徳之  , 加田 渉 , 花泉 修  , 磯谷 順一  , 川原 田 洋 "表面酸化によるダイヤモンド中の浅い NV センターのコヒーレ ンス特性",第77回応用物理学会秋季学術講演会,朱鷺メッセ(新潟県新潟市),2016年9月13-16日(口頭)
  16. 梶家美貴，加藤かなみ，河合空，山野颯，Evi Suaebah，蔭浦泰資，稲葉優文，河野省三，東又格，春山盛善,谷井孝至，山田圭介，小野田忍，寺地徳之，加田渉，花泉修，磯谷順一，河野省三，川原田洋，” DNAのNMR検出に向けたNH 2 終端ダイヤモンド中の浅いNVセンター”，第77回応用物理学会秋季学術講演会 ，朱鷺メッセ，2016年9月13日（口頭）
  17. 蔭浦泰資、日出幸 昌邦、柴田 将暢、笹間 陽介、山口 尚秀、高野 義彦、川原田 洋、”（111）超伝導ボロンドープダイヤモンド中の歪み層と緩和層”　第77回応用物理学会秋季学術講演会、朱鷺メッセ、2016年9月14日（口頭）
  18. 稲葉 優文, 五十嵐 圭為, 楢村 卓朗, 阿部 修平, 柴田 将暢, 新谷 幸弘, 平岩 篤, 川原田 洋, ”ダイヤモンド電解質溶液ゲートFETのしきい値”,第77回応用物理学会秋季学術講演会, 朱鷺メッセ, 2016年9月13日-16日 （口頭）
  19. 平岩 篤, 松村 大輔, 大久保 智, 川原田 洋, ”原子層堆積 Al2O3 膜の電気特性に対する熱処理効果”, 第77回応用物理学会秋季学術講演会, 朱鷺メッセ(新潟市),  2016年9月13日-16日 （口頭）
  20. 新谷 幸弘, 小河 晃太朗, 川原田 洋, "終端処理による多結晶ダイヤ電界効果トランジスタセンサのpH感度制御", 化学工学会 第48回秋季大会, 徳島大学 常三島キャンパス, 2016年9月6日～8日 (口頭)
  21. Wenxi Fei, Masafumi Inaba, Yu Hirano, Hideki Masuda, Hiroshi Kawarada, “Growth of Diamond Nanocylinder Forest Using Template-Assisted Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition”, 第51回 フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム, かでる2･7, 札幌市, 2016年9月6日-8日 （ポスター）
  22. M. Inaba, K. Igarashi, T. Naramura, S. Abe, M. Shibata, Y. Shintani, A. Hiraiwa, H. Kawarada, "Threshold shift of diamond electrolyte-solution gate field-effect transistor by anodic oxidation", 第51回 フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム, かでる2･7, 札幌市, 2016年9月6日-8日 （口頭）
  23. 費文茜, 稲葉優文, 平野優, 益田秀樹, 川原田洋, “The Growth of Diamond Nanorods by Using Antenna-edge-type Microwave Plasma-assisted Chemical Vapor Deposition--- DLC（diamond like carbon） Tube & Rod by Porous Alumina”, 文部科学省「学際・国際的高度人材育成ライフイノベーションマテリアル創製共同研究プロジェクト」（六研連携プロジェクト）キックオフ公開討論会, 名古屋大学, 2016年7月8日(ポスター)
  24. 蔭浦泰資、日出幸昌邦、露崎活人、川原田洋、笹川崇男, ” ボロンドープダイヤモンド超伝導量子干渉計(SQUID)の開発 ” , 文部科学省「学際・国際的高度人材育成ライフイノベーションマテリアル創製共同研究プロジェクト」（六研連携プロジェクト）キックオフ公開討論会, 名古屋大学, 2016年7月8日(ポスター)
  25. 稲葉優文、平野優、川原田洋、楠美智子, "カーボンナノチューブの接触伝導度",文部科学省「学際・国際的高度人材育成ライフイノベーションマテリアル創製共同研究プロジェクト」（六研連携プロジェクト）キックオフ公開討論会, 名古屋大学, 2016年7月8日(ポスター)
  26. M. Inaba, T. Muta, M. Kobayashi, D. Matsumura, T. Saito, T. Kudo, A. Hiraiwa, H. Kawarada, "Vertical Type Hydrogen Terminated Diamond MOSFETs", 第35回電子材料シンポジウム, ラフォーレ琵琶湖(滋賀), 2016年7月6-8日（ポスター・EMS賞）
  27. 日出幸昌邦, 蔭浦泰資, 柴田将暢, 北林祐哉, 笹間陽介, 山口尚秀, 高野義彦, 川原田洋、”ボロンドープダイヤモンド超伝導量子干渉計の 作製に向けたジョセフソン接合の直流 交流ジョセフソン効果の観測 ”、第63回応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学, 2016年3月19日-22日 （口頭）
  28. 山野颯、加藤かなみ、蔭浦泰資、稲葉優文、東又格、小池悟大、春山盛善、谷井孝至、小野田忍、寺地徳之、加田渉、花泉修、 磯谷順一、川原田洋、”磁気センサー応用に向けた単一のNVセンターの作製と状態の評価”、  第63回応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学, 2016年3月19日-22日 （口頭）
  29. 牟田翼、斎藤 俊輝、工藤 拓也、北林 祐哉、松村 大輔、牛 俊雄、稲葉 優文、平岩 篤、川原田洋、”縦型構造トレンチチャネルC-HダイヤモンドMOSFET(Ⅱ)”、  第63回応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学, 2016年3月19日 （口頭）
  30. 工藤 拓也, 北林 祐哉, 山田 哲也, 許 德琛, 斎藤 俊輝, 松村 大輔, 林 佑哉, 瀬下 裕志, 平岩 篤, 川原田 洋, "高耐圧・高電流密度を有する ノーマリオフC-HダイヤモンドMOSFET", 第63回応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学, 2016年3月19日-22日 （口頭）
  31. 五十嵐 圭為、楢村 卓朗, モフドスクリ シャイリ, 稲葉 優文, 新谷 幸弘, 平岩 篤, 川原田 洋、”ゲート型ダイヤモンド電解質溶液ゲートFETの電流電圧特性”、第63回応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学, 2016年3月19日-22日 （口頭）
  32. 加藤 かなみ、山野 颯、蔭浦 泰資、瀬下 裕志、稲葉 優文、東又 格、小池 悟大、谷井 孝至、磯谷 順一、寺地 徳之、小野田 忍、春山 盛善,加田 渉、花泉 修、川原田 洋,”表面終端による浅いNVセンターの電荷状態”,第63回応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学, 2016年3月19日-22日 （口頭）
  33. 牛俊雄, 許德琛,山田哲也,北林祐哉,斎藤俊輝,柴田将暢,松村大輔,工藤拓也,稲葉優文,平岩篤,川原田洋、”C-H多結晶ダイヤモンドMOSFETへの高電圧印加による電流特性変化”、第63回応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学, 2016年3月19日 （口頭）
  34. 稲葉 優文, 費 文茜, 平野 優, 鈴木 和真, 川原田 洋, ”ダイヤモンドへの高温アニールにより作製した垂直配向グラファイト”,第63回応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学, 2016年3月19日-22日 （口頭）
  35. 平岩 篤、松村 大輔、川原田 洋、“原子層堆積（ALD）温度を変えて形成したAl2O3膜の電気特性”、 第63回応用物理学会春季学術講演会、東京工業大学、2016年3月19日-22日 （口頭）
  36. M. Inaba, W. Fei, Y. Hirano, K. Suzuki, H. Kawarada, "Vertically oriented Graphite layer formed on hot-implanted diamond, (100) surface", 第50回 フラーレン・ナノチューブ・グラフェン 総合シンポジウム, 東京大学, 2016年2月20日-22日　（ポスター）