WASEDA UNIVERSITY
              
 
 
 

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2000
1999
1998
1997

   

《 受賞 》

成田 憲人
第10回 ZAIKEN Festa 奨励賞(2023年10月)
" Si-MBD装置を用いたC-Si-O側壁チャネルノーマリーオフ縦型ダイヤモンドMOSFETの作製"
橋本 裕太郎
第36回ダイヤモンドシンポジウム (2022年11月)
"稜線伝導構造による単結晶ダイヤモンドジョセフソン接合の微細化とSQUID動作"
上田 真由
2022 MRS Fall Meeting & Exhibit, Best Student Poster Award (2022年11月)
"Ultra High-Concentration Nitrogen-doped CVD Diamond with Highest Crystallinity"
成田 憲人
第53回(2022年秋季)応用物理学会講演奨励賞 (2022年9月)
"C-Si-O側壁チャネルによる縦型ダイヤモンドMOSFETのノーマリーオフ動作"
太田 康介
第9回 ZAIKEN Festa, 早稲田大学各務記念材料技術研究所 最優秀賞 (2022年10月)
"C-Si-O側壁チャネルを有した縦型ダイヤモンドMOSFETのノーマリーオフ動作達成"
早坂 京祐
第9回 ZAIKEN Festa, 早稲田大学各務記念材料技術研究所 優秀賞 (2022年10月)
"超高濃度窒素ドープCVDダイヤモンドに作製した高濃度NVセンター"
早坂 京祐
2021 Virtual MRS Fall Meeting & Exhibit, Best Student Oral Presentation Award (2021年12月)
"Fabrication of High-Density NV Ensemble Using Vacancies Created by Transmission Electron Microscope”
佐藤 弘隆
2021 MRS Fall Meeting & Exhibit, Best Student Oral Presentation Award (2021年11月)
"Propagation Characteristics for Seawater Wireless Communication up to 25 m of Transmission Distance by Utilizing Diamond Solution Gate FET”
角田 隼
応用物理学会 先進パワー半導体分科会第7回講演会  研究奨励賞 (2020年12月)
   “トレンチ構造を持つ縦型二次元正孔ガスダイヤモンドパワーMOSFETの大電流密度(20 kA/cm2, 710 mA/mm)・低オン抵抗化(2.5 mΩ cm2)”
https://annex.jsap.or.jp/adps/award.html
角田 隼
2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2019), SSDM Young Researcher Award (2019年9月)
"(111) Vertical-type 2DHG Diamond MOSFETs with Hexagonal Trench Structures"
http://www.ssdm.jp/award.html
立石 哲也
2019 MRS Fall Meeting & Exhibit, The Second Best Student Oral Presentation (2019年12月)
"Aligned Two-Dimensional NV Ensemble Fabrication from (111) Nitrogen-Terminated Surface Embedded by High Purity Diamond"
寶田 晃翠
第33回ダイヤモンドシンポジウム ポスターセッション賞最優秀賞 (2019年11月)
"ダイヤモンド電解質溶液ゲートFETを用いた海中無線通信の通信距離の評価"
西村 隼
第6回ZAIKEN フェスタ 最優秀賞 (2019年10月)
"(111) 縦型 2DHG ダイヤモンド MOSFET : 六角形トレンチ構造による大電流動作・低オン抵抗化"
蔭浦 泰資
The First International Forum on Quantum Sensing (IFQS2019), Best Poster Award(2019年2月19日) 
"Diamond Josephson Junctions and SQUID for Superconducting Q-bit"
Chang Yu Hao
2018 MRS Fall Meeting & Exhibit, The 2nd Award for Best Student Speaker (2018年11月)
"Nitrogen and Oxygen-Terminated Diamond Electrolyte Solution-Gate FET for pH Sening in Both Acidic and Alkaline Solution"
西村 隼
第32回ダイヤモンドシンポジウム ポスターセッション賞最優秀賞 (2018年11月)
"縦型2DHGダイヤモンドMOSFET:オーバーラップゲート構造による大電流密度、低オン抵抗化"
今西 祥一朗
第5回ZAIKEN フェスタ 奨励賞 (2018年10月)
"ALD-Al2O3ダイヤモンドMOSFETsの高電圧印加時における高周波特性評価"
河合 空
2017MRS MRS Fall Meeting & Exhibit, Best Student Oral Presentation Award (2017年11月)
"Charge Stability and Coherence Property of Shallow Nitrogen Vacancy Center in Nitrogen Terminated Diamond for DNA Detection"
今西 祥一朗
第31回ダイヤモンドシンポジウム ポスターセッション賞 優秀賞 (2017年11月)
"高電界>4×105V/cm下でのALD-Al2O3 2DHGダイヤモンドMOSFETの高周波特性の向上"
蔭浦 泰資
ICMaSS2017 (International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017) /iLIM-2
Outstanding Presentation Award (2017年9月)
"Single Crystalline Boron-doped Diamond Superconducting Quantum Interference Devices"
BI TE
NDNC2017:11th International Conference on New Diamond and Nano Carbons
Best Poster Awards (2017年5月)
"Normally-off Diamond p-FET Application in Cascode with 1735 V Breakdown Voltage"
露崎 活人
第30回ダイヤモンドシンポジウム 優秀講演賞 (2017年5月)
"ボロンドープダイヤモンド超伝導量子干渉計の特性評価”
大井 信敬
第42回(2017年春季)応用物理学会 講演奨励賞(2017年5月)
"縦型2DHGダイヤモンドFETの特性向上"
露崎 活人
第41回 (2016年秋季)応用物理学会 講演奨励賞 (2016年11月)
"追成長を用いたステップエッジ構造ジョセフソン接合によるボロンドープダイヤモンド超伝導量子干渉計"
蔭浦 泰資
第3回ZAIKENフェスタ 最優秀賞 (2016年11月)
"超伝導ボロンドープダイヤモンド中の歪み層と緩和層"
稲葉 優文
第35回電子材料シンポジウム EMS賞 (2016年7月)
"Vertical Type Hydrogen Terminated Diamond MOSFETs"
Evi Suaebah
10th International Conference on New Diamond and Nano Carbons (NDNC2016) Young Scholar Award (2016年5月)
"Amine termination of nanocrystalline diamond surface by nitrogen radical beam (NRB) for biosensing application",
渋谷 恵
第26回ダイヤモンドシンポジウム ポスターセッション賞 優秀賞 (2012年11月)
"CNT/SiC界面の接触抵抗評価"
津野 哲也
MRS Fall Meeting Best Student Poster Award (2009年12月) "Diamond MOSFETs with TiC Ohmic Contact on Highly Boron-doped Source and Drain Layers for Superconductive Operation" ,
野村 亮
第23回ダイヤモンドシンポジウム ポスター部門賞優秀賞 (2009年11月)
“ダイヤモンド超伝導薄膜を用いたステップ構造ジョセフソン接合の特性評価”,