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2024年

国際学会

1. H. Kawarada, "H-Terminated Transistors with Different Surface Terminations," 2024 MRS Fall Meeting & Exhibit, Boston, USA, Dec.1-6, 2024(Tutorial, Dec.1, 2024)
2. M.Takeuchi, C.Wakabayashi, M.Tachiki, S.Ooi, K.Amazutsumi, R.Matsumoto, Y.Takano, H.Kawarada, "Diamond superconducting FETs and high current vertical FETs using heavily boron doping", 2024 MRS Fall Meeting & Exhibit, Boston, USA, Dec.1-6, 2024(Oral, Dec.4 2024)
3. R. Yamamoto, N. Oi, K.Ota, K. Narita, A. Hiraiwa, T. Fujishima, H. Kawarada, "Reduction of the Electric Field Strength by the Thick Undoped Layer in the (001) C-H Vertical Diamond MOSFETs," 2024 MRS Fall Meeting & Exhibit, Boston, USA, Dec.1-6, 2024 (Oral, Dec.4, 2024)
4. Y.Takano, A.Takahashi, K.Ota, Y.Chou, F.Asai, A.Hiraiwa, T.Fujishima, H.Kawarada, "Fabrication of 2DHG Multi-finger Diamond vertical MOSFETs and I-V and RF characteristics" 2024 MRS Fall Meeting & Exhibit, Boston, USA, Dec.1-.6, 2024 (Poster, Dec.3, 2024)
5. H. Kawarada, K. Ota, K. Kudara, N. Oi, T. Fujishima "Diamond RF Planar and Power Vertical p-FET Using 2D Hole Gas," The 11th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2024), Busan, Korea, Oct. 13-17, 2024 (Oct. 16, 2024, Keynote Speech)
6. X.Jia, K.Narita, K.Ota, A.Takahashi, R.Yamamoto, A.Hiraiwa, T.Fujishima, H.Kawarada, “Reliable Formation of Diamond p-type Channel by Additional Negative Ions Formed from Corona Discharge” The 4th International Symposium on Design & Engineering by Joint Inverse Innovation for Materials Architecture (DEJl²MA 2024), Kokukaikan Business Forum, Tokyo, Japan, Oct. 3., 2024 (Poster)
7. K. Narita, R. Yamamoto, K. Ota, A. Hiraiwa, H. Kawarada, " Improvement of On-resistance in C-Si-O channel (001) diamond MOSFET with Heavily Boron Doped Layer ", The 4th International Symposium on Design & Engineering by Joint Inverse Innovation for Materials Architecture (DEJl2MA2024), Kokukaikan Business Forum, Tokyo, Japan, Oct. 3 , 2024 (Poster).
8. Y. Chou, F. Asai, A. Hiraiwa, Y. Nishibayashi, and Hiroshi Kawarada, "IDSmax = 600 mA/mm and fmax = 12.3 GHz achieved by MOSFET on (111) Highly Oriented Polycrystalline 1-inch Diamond Substrate," The 4th International Symposium on Design & Engineering by Joint Inverse Innovation for Materials Architecture(DEJl²MA 2024), Kokukaikan Business Forum, Tokyo, Japan, Oct. 3, 2024 (Poster)
9. K. Masadome, H. Sato, R. Nomoto, H. Kawarada, “Amplification of underwater wireless communication signals using transformers and resonance”, 4th International Symposium on Design & Engineering by Joint Inverse Innovation for Materials Architecture(DEJl²MA 2024), Kokukaikan Business Forum, Tokyo, Japan, Oct. 3, 2024 (Poster)
10. H. Kawarada, K. Kudara , M. Arai , A. Takahashi , K. Ota , T. Fujishima　"High Power and High Frequency Diamond Field Effect Transistors," 2024 International Conference on Solid State Devices and Materials, Himeji, Japan, Sept. 1-4, 2024 (Invited, Sept. 2, 2024)
11. R. Yamamoto, K. Narita, K. Ota, N. Oi, A. Hiraiwa, T. Fujishima, H. Kawarada, "Improvement of the Contact Resistance and Subthreshold Swing of the (001) C-H Diamond MOSFETs with Heavily Boron Doped Layer," 2024 International Conference on Solid State Devices and Materials, Himeji, Japan, Sept. 1-4, 2024 (Oral, Sept. 2, 2024)
12. H. Kawarada, "Protein Sensing Using Immobilized DNA/RNA on Diamond FETs", The 1st international seminar on Physics and it's application(ISoPA 2024), 10 August 2024, Universitas Negeri Surabaya, Indonesia (Online, Keynote Speech)
13. H. Kawarada, "Diamond Field Effect Transistors for Power and High Frequency Application," Academy of Innovative Semiconductor and Sustainable Manufacturing, National Cheng Kung University (國立成功大學), Tainan City, Taiwan, Mar. 1, 2024 (Invited)

国内学会

1. 山本 稜将, 成田 憲人, 太田 康介, 大井 信敬, 平岩 篤, 藤嶌 辰也, 川原田 洋, "パワーデバイス応用に向けたダイヤモンドMOSFETの開発", 電気学会「化合物半導体を用いた次世代高機能デバイス技術とアプリケーション」調査専門委員会, サニー会議室(東京), (2024年10月11日)
2. 山本 稜将, 成田 憲人, 太田 康介, 大井 信敬, 平岩 篤, 藤嶌 辰也, 川原田 洋, "(001) C-H ダイヤモンド MOSFET での高濃度ボロンドープ層による接触抵抗と立ち上がり特性の改善", 第11回 ZAIKEN Festa  , 早稲田大学各務記念材料技術研究所 (東京), 2024年10月3日 (ポスター)
3. 髙野優希、高橋輝、太田康介、長幸宏、浅井風雅、平岩篤、藤嶌辰也、川原田洋, "縦型マルチフィンガーダイヤモンドMOSFETsの作製とI-V特性及び高周波特性評価", 第11回 ZAIKEN Festa, 早稲田大学 各務記念材料技術研究所, 2024年10月3日（ポスター・優秀賞受賞）
4. 川原田　洋, 早坂 京祐, 浅野 雄大, 小野田 忍, "NV中心の超高密度化とその相互作用",第85回応用物理学会秋季学術講演会, 朱鷺メッセほか2会場＆オンライン(新潟), 2024年9月16日-20日 (招待講演, 2024年9月19日)
5. 久樂 顕, 小松崎 優治, 山口 裕太郎, 新庄 真太郎, 荒井 雅一, 川原田　洋,　"マルチフィンガー構造を有するダイヤモンド増幅器", 第85回応用物理学会秋季学術講演会, 朱鷺メッセほか2会場＆オンライン(新潟), 2024年9月16日-20日 (口頭, 2024年9月16日)
6. 川原田　洋, "ダイヤモンド半導体による低炭素排出技術", 早稲田電気工学会EWE活性化委員会講演会, ハイブリッド開催(早稲田大学西早稲田キャンパス+オンライン),　(2024年7月23日)
7. 山本 稜将, 成田 憲人, 太田 康介, 高橋 輝, 大井 信敬, 平岩 篤, 藤嶌 辰也, 川原田 洋, "(001) C-H ダイヤモンド MOSFET における高濃度ボロンドープ層の効果", 第71回応用物理学会春季学術講演会, ハイブリッド開催(東京都市大学 世田谷キャンパス(東京) + オンライン), 2024年3月22日-25日 (口頭, 2024年3月23日) 
8. 髙野優希,高橋輝,太田康介,浅井風雅,長幸宏,平岩篤,藤嶌辰也,川原田 洋,"P＋基板をソースとした縦型マルチフィンガーダイヤモンドMOSFETsの作製" 第71回応用物理学会春季学術講演会, ハイブリッド開催(東京都市大学 世田谷キャンパス(東京) + オンライン), 2024年3月22日-25日 (口頭, 2024年3月23日) 
9. 太田康介, 成田憲人, 付裕, 山本稜将, 平岩篤, 藤嶌辰也, 川原田洋, “Si-MBD法を用いたC-Si-Oチャネルによるノーマリーオフ動作縦型ダイヤモンドMOSFETの開発”,令和5年度6大学連携プロジェクト公開討論会, 名古屋大学東山キャンパスES総合館(愛知), 2024年3月9日(ポスター, 2024年3月9日)
10. 山本 稜将, 成田 憲人, 太田 康介, 高橋 輝, 大井 信敬, 平岩 篤, 藤嶌 辰也, 川原田 洋, " (001) C-H ダイヤモンド MOSFET における高濃度ボロンドープ層の ソース・ドレインコンタクトに対する効果", 令和5年度6大学連携プロジェクト公開討論会, 名古屋大学東山キャンパスES総合館(愛知), 2024年3月9日(ポスター, 2024年3月9日)
11. 髙野優希,高橋輝,太田康介,浅井風雅,長幸宏,平岩篤,藤嶌辰也,川原田 洋,"P＋基板をソースとした縦型マルチフィンガーダイヤモンドMOSFETsの作製" 令和5年度6大学連携プロジェクト公開討論会, 名古屋大学東山キャンパスES総合館(愛知), 2024年3月9日(ポスター, 2024年3月9日)  
12. 川原田　洋, "次世代パワーデバイスを実現するダイヤモンド半導体," 第19回表面技術会議, "先端表面・界面技術がデバイスを変える"　機能性表面・界面の専門展 　ASTEC2024, 東京ビッグサイト東3ホール, 2024年1月31日～2月2日(招待講演、2024年1月31日)
13. 川原田　洋, "ダイヤモンド電界効果トランジスタの社会実装に向けて(Toward the social implementation of diamond field effect transistors)," 第30回「エレクトロニクスにおけるマイクロ接合・実装技術」シンポジウム（Mate2024 30th Symposium on“Microjoining and Assembly Technology in Electronics”）, パシフィコ横浜 会議センター, 2024年1月23日～24日（招待講演、2024年1月23日）