WASEDA UNIVERSITY
　　　　　　　　　　　　　　
 
 
 

2024
2023
2022
2021
2020
2019
2018
2017
2016
2015
2014
2013
2012
2011
2010
2009
2008
2007
2006
2005
2004
2003
2002
2001
2000
1999
1998
1997

    

2023年

国際学会

  1. H.Kawarada , K. Ota, Y. Fu, K. Narita, X. Zhu, A. Hiraiwa, T. Fujishima, “Oxidized Silicon Terminated Diamond p-MOSFETs with Channel Mobility >150 cm2V-1s-1 and |VTH |> 3V Normally-off for Complementary Power Circuits,” 2023 IEDM San Francisco, USA, Dec.9-Dec.13,2023 (Oral, Dec.12, 2023)
  2. K. Narita, K. Ota, Y. Fu, C. Wakabayashi, A. Hiraiwa, T. Fujishima, H. Kawarada, "Normally-Off Vertical Diamond MOSFETs with Drain Current Density Over 200 mA/mm using Oxidized Si Terminated Diamond Channel Formed by Si Molecular Beam Deposition Approaches", 2023 Virtual MRS Fall Meeting & Exhibit , Dec. 5-7, 2023 (Poster, Dec. 7, 2023)
  3. X. Jia, K. Narita, K. Ota, A. Takahashi, R. Yamamoto,  A. Hiraiwa,T. Fujishima, H. Kawarada, "Reliable Formation of Diamond p-type Channel by Additional Negative Ions Formed from Corona Discharge", 2023 Virtual MRS Fall Meeting & Exhibit, Dec. 5-7, 2023 (Poster, Dec. 7, 2023)
  4. Y.Hashimoto, C.Wakabayashi, Y.Takahashi, Y.Takano, M.Tachiki, S.Ooi, H. Kawarada,"Reduction of Etching Damage and SQUID Operation of Single-Crystalline Diamond Josephson Junctions by Ridge Conduction Structure", 2023 MRS Fall Meeting &Exhibit, Boston, USA, Nov 26-Dec 1, 2023. (Oral, Nov. 27, 2023)
  5. Yukihiro Chou, Fuga Asai, Kosuke Ota, Atsushi Hiraiwa, Yoshiki Nishibayashi, Hiroshi Kawarada, “MOSFETs on (111) Highly Oriented Polycrystalline 1-Inch Diamond Substrate", 2023 MRS Fall Meeting & Exhibit, Boston, USA, Nov. 26-Dec. 1, 2023(Oral, Nov. 28 2023)
  6. Y. Asano, K. Hayasaka, M. Ueda, K. Kimura, T. Tanii, S. Onoda, S. Enomoto, H. Kawarada,"The Highest Concentration NV Ensembles Formed by Heavily Nitrogen-Doping CVD System with Plasma Confinement and High Density Vacancy Formation by Focused Electron Beam Irradiation",2023 MRS Fall Meeting & Exhibit, Boston, USA, Nov. 27-Dec. 1, 2023(Oral, Nov. 30 2023)
  7. K.Masadome, H. Sato, R. Nomoto, Y. Chang, H. Kawarada, "Propagation of Potentiometric Signals Based on Electric Conduction of Sea Water",2023 IEEE International Symposium on Antennas and Propagation, (ISAP 2023) Kuala Lumpur,Malaysia, Oct. 30-Nov. 2, 2023 (Oral, Nov. 1, 2023)
  8. M. Ueda, Y. Asano, K. Abe, Y. Sato, S. Takeuchi, H. Kawarada,” Fabrication of NV Center by Chamber Flame Synthesis,” 3rd International Symposium on Design & Engineering by Joint Inverse Innovation for Materials Architecture(DEJl²MA 2023), International Conference Center – Waseda University, Tokyo, Japan, Oct. 20, 2023 (Poster)
  9. C. Wakabayashi, Y. Hashimoto, M. Takeuchi, S. Ooi, M. Tachiki, Y. Takano, H.Kawarada, “Supercurrent modulation in superconducting boron-doped diamond thin films by field effect,” 3rd International Symposium on Design & Engineering by Joint Inverse Innovation for Materials Architecture(DEJl²MA 2023), International Conference Center – Waseda University, Tokyo, Japan, Oct. 20, 2023 (Poster)
  10. R. Nomoto, H. Sato, Y. H.Chang, H. Kawarada, “Realization of multi-sensing using multiple ion-sensitive FETs by common gate method,” 3rd International Symposium on Design & Engineering by Joint Inverse Innovation for Materials Architecture(DEJl²MA 2023), International Conference Center – Waseda University, Tokyo, Japan, Oct. 20, 2023 (Poster)
  11. A. Takahashi, M. Arai, F. Asai, Y. Suzuki, A Hiraiwa, H. Kawarada, “Improved Characteristics of 2DHG Diamond MOSFETs in Gate Width Expansion with Introduction of Multi-Finger Structure,” 3rd International Symposium on Design & Engineering by Joint Inverse Innovation for Materials Architecture(DEJl²MA 2023), International Conference Center – Waseda University, Tokyo, Japan, Oct. 20, 2023 (Poster)
  12. K. Masadome, H. Sato, R. Nomoto, Y. H. Chang, H. Kawarada, “Principle of underwater wireless communication in seawater utilizing potentiometric signals and achievement of 10 Mbps”3rd International Symposium on Design & Engineering by Joint Inverse Innovation for Materials Architecture(DEJl²MA 2023), International Conference Center – Waseda University, Tokyo, Japan, Oct. 20, 2023 (Poster)
  13. H. Kawarada, "Diamond p-FETs platform for wide bandgap n-FET," 3rd International Conference on Semiconductor Materials and Technology(ICOSEMT 2023), Penang, Malaysia, Sept. 18-19, 2023（Keynote Speech, Sept. 18, 2023）
  14. X. Jia, Y. Suzuki, S. Deguchi, F. Asai, A. Takahashi, A. Hiraiwa, J. Kaneko, H. Kawarada, "Radiation Effects on 2DHG Diamond MOSFETs with Boron-doped Source and Drain Layers", 2023 International Conference on Solid State Devices and Materials, Nagoya, Japan, Sept. 5-8, 2023 (Oral, Sept. 8, 2023)
  15. K. Narita, K. Ota, Y. Fu, C. Wakabayashi, A. Hiraiwa, H. Kawarada, "Normally-Off Operation in Vertical Diamond MOSFETs Using Oxidized Si Termination Diamond Channel Formed by Si Molecular Beam Deposition Approaches," 2023 International Conference on Solid State Devices and Materials, Nagoya, Japan, Sept. 5-8, 2023 (Oral, Sept. 8, 2023)
  16. Y. Asano, K. Hayasaka, M. Ueda, K. Kimura,  T. Tanii,  S. Onoda,  S. Enomoto,  H. Kawarada,  "The high concentration NV ensemble formed from heavily nitrogen-doped CVD diamond with high quality," 2023 International Conference on Solid State Devices and Materials, Nagoya, Japan, Sept. 5-8, 2023 (Oral, Sept.6, 2023)
  17. H. Kawarada, "C-Si-O diamond FET with best normally off operation due to low surface state density," The 73rd Diamond Research Conference, University of Warwick, Warwick, UK, July 10-13, 2023 (Invited, Keynote Speech, July 11, 2023)
  18. H.Kawarada, “Oxidized silicon terminated diamond FETs operated as deep normally-off without deteriorating drain current density", Hasselt Diamond Workshop 2023 - SBDD XXVII, Hasselt, Belgium, March 15-17, 2023 (Invited, March 15, 2023)
  19. R. Nomoto, H. Sato, Y. H. Chang, H. Kawarada, "Multi-Sensing Utilizing Common-Gate Ion-Sensitive FETs", Design & Engineering by Joint Inverse Innovation for Materials Architecture, Waseda Univ., Tokyo, Mar. 11, 2023 (Poster)
  20. C. Wakabayashi, Y. Takano, M. Tachiki, S. Ooi, S. Arisawa, M. Sasagawa, H. Kawarada, "Low Temperature Operation of 2DHG Diamond FETs with Superconducting Diamond Sources and Drains aiming at JoFET or SCFET operation", Design & Engineering by Joint Inverse Innovation for Materials Architecture(DEJI2MA), Waseda Univ., Tokyo, Mar. 11, 2023 (Poster)
  21. K. Hayasaja, K. Kanehisa, M. Ueda, K. Kimura, S. Onoda, H.Kawarada, "Highly concentrated NV ensembles produced by vacancy formation using transmission electron microscopy.", Design & Engineering by Joint Inverse Innovation for Materials Architecture(DEJI2MA), Waseda Univ., Tokyo, Mar. 11, 2023 (Poster)
  22. A. Takahashi, M. Arai, F. Asai, Y. Suzuki, A. Hiraiwa, H.Kawarada, "2DHG diamond MOSFETs with multi-finger structure for gate width expansion and improved RF characteristics", Design & Engineering by Joint Inverse Innovation for Materials Architecture(DEJI2MA), Waseda Univ., Tokyo, Mar. 11, 2023 (Poster)
  23. M. Ueda, K. Hayasaka, K. Kanehisa, Y. Takahashi, C. Wakabayashi, T. Kageura  H. Kawarada, "Characterization of Ultra High-Concentration Nitrogen-doped CVD Diamond", Design & Engineering by Joint Inverse Innovation for Materials Architecture(DEJI2MA), Waseda Univ., Tokyo, Mar. 11, 2023 (Poster)
  24. K. Ota, Y. Fu, K. Narita, C. Wakabayashi, A. Hiraiwa, H. Kawarada, "Achievement of the first normally-off operation in vertical diamond MOSFETs using oxidized Si termination diamond channel," Design & Engineering by Joint Inverse Innovation for Materials Architecture(DEJI2MA), Waseda Univ., Tokyo, Mar. 11, 2023 (Poster)

 

国内学会

  1. 山本稜将, 成田憲人, 太田康介, 付裕, 若林千幸, 平岩篤, 藤嶌辰也, 川原田洋, "最大ドレイン電流密度:200 mA/mmを超えるSi-MBD法を用いたC-Si-O側壁チャネルによるノーマリーオフ縦型ダイヤモンドMOSFETの開発", 第37回ダイヤモンドシンポジウム, 東海大学 湘南キャンパス(神奈川県), 2023年11月14日 -16日 (口頭, 2023年11月15日)
  2. 阿部和実, 上田真由, 淺野雄大, 谷井孝至, 佐藤勇斗, 竹内貞雄, 小野田忍, 川原田洋,”チャンバーフレーム法で合成したダイヤモンドへのNVセンターの作製”, 第37回ダイヤモンドシンポジウム, 東海大学 湘南キャンパス(神奈川県), 2023年11月14日-16日 (ポスター, 2023年11月14日)
  3. 川原田 洋, "ダイヤモンド・パワー高周波電界効果トランジスタの最近の進展," 第42回電子材料シンポジウム, ダイワロイヤルホテル　THE KASHIHARA　(奈良県橿原市）, 2023年10月11日～13日(スペシャルセッション・チュートリアル, 2023年10月13日)
  4. 川原田 洋, "半導体の社会実装," 応用物理学会九州地区若手チャプター・学生チャプター合同セミナー　第二回連携研究会, ざうお本店(福岡市)、（招待講演、2023年10月6日）
  5. 成田 憲人, 太田 康介, 付 裕, 若林 千幸, 平岩 篤, 川原田 洋, "Si-MBD装置を用いたC-Si-O側壁チャネルノーマリーオフ縦型ダイヤモンドMOSFETの作製",  第10回ZAIKEN Festa  , 早稲田大学各務記念材料技術研究所 (東京), 2023年10月5日 (ポスター)（奨励賞）
  6. 淺野 雄大, 早坂 京祐, 上田 真由, 木村 晃介, 谷井 孝至, 小野田 忍, 榎本 心平, 河野 省三, 川原田 洋, "超高濃度窒素ドープCVDダイヤモンドへの電子照射による高濃度NVアンサンブルの作製" ,  第10回 ZAIKEN Festa, 早稲田大学各務記念材料技術研究所 (東京), 2023年10月5日 (ポスター)
  7. 山本 稜将, Xuezhen Jia, 成田 憲人, 太田 康介, 平岩 篤, 藤嶌 辰也, 川原田 洋, " コロナ放電の負イオン照射による C-H ダイヤモンド表面伝導性の改善 ", 第84回応用物理学会秋季学術講演会, ハイブリッド開催(熊本城ホール・熊本市民会館・熊本市国際交流会館・TKP熊本カンファレンスセンター(熊本) + オンライン), 2023年9月19日-23日 (口頭, 2023年9月21日)
  8. 髙野 優希, 浅井 風雅, 長 幸宏, 太田 康介, 高橋 輝,平岩 篤, 藤嶌 辰也, 川原田 洋,"縦型高周波ダイヤモンドMOSFETsにおけるソース・ドレインの交換による電流密度向上”,第84回応用物理学会秋季学術講演会, ハイブリッド開催(熊本城ホール・熊本市民会館・熊本市国際交流会館・TKP熊本カンファレンスセンター（熊本）+ オンライン), 2023年9月19日-23日（口頭, 2023年9月21日）
  9. 阿部 和実, 上田 真由, 淺野 雄大, 臼井 俊太郎, 谷井 孝至, 佐藤 勇斗, 竹内 貞雄, 川原田 洋, "チェンバーフレーム法によるダイヤモンドへのNVセンターの作製", 第84回応用物理学会秋季学術講演会, ハイブリッド開催(熊本城ホール・熊本市民会館・熊本市国際交流会館・TKP熊本カンファレンスセンター（熊本）+ オンライン), 2023年9月19日-23日（口頭, 2023年9月21日）
  10. 雨堤 耕史，太田 康介，藤嶌 辰也，川原田洋, "水素終端縦型ダイヤモンドMOSFET における低オン電圧実現に向けた構造検討", 第84回応用物理学会秋季学術講演会, ハイブリッド開催(熊本城ホール・熊本市民会館・熊本市国際交流会館・TKP熊本カンファレンスセンター（熊本）+ オンライン), 2023年9月19日-23日（口頭,9月21日）
  11. 川原田 洋, "相補型インバータ応用のためのノーマリオフ高チャネル移動度 C-Si-O 終端ダイヤモンド p-MOSFET（Normally-off C-Si-O terminated diamond p-MOSFET with high mobility for complementary power inverter）", 応用物理学会・先進パワー半導体分科会 第25回研究会「ワイドギャップ半導体の新たな応用」, 銀座ユニーク７丁目(東京都), 2023年9月1日（招待講演）
  12. 川原田 洋, "ダイヤモンドMOSFETの高周波およびパワー半導体への展開", 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会主催 第51回薄膜・表面物理セミナー(2023) ダイヤモンド研究の最前線, 2023年8月7日, ハイブリッド開催(金沢商工会議所ホール)（招待講演）
  13. 川原田 洋, 太田 康介, 藤嶌 辰也, "2DHG を用いたダイヤモンドパワー高周波 FET の開発状況", ワイドギャップ半導体学会第12回研究会,　大阪, 2023年７月21日（招待講演）
  14. 正留 康太、佐藤 弘隆、野本 玲於奈、川原田 洋、"25mの海水プールにおけるイオン導電性を用いた電気信号の伝播”, 電子情報通信学会水中無線技術特別研究専門委員会, 2023年 第9回水中無線技術研究会(UWT)、長岡中央公民館(静岡県伊豆の国市), 2023年5月25日 (口頭、2023年5月25日)
  15. 淺野 雄大, 早坂 京祐, 上田 真由, 木村 晃介, 金久 京太郎, 蔭浦 泰資, 谷井 孝至, 小野田 忍, 榎本 心平, 河野 省三, 川原田 洋, "高濃度窒素ドープCVDダイヤモンドへの電子照射による高濃度NVアンサンブルの作製", 第70回春季応用物理学会学術講演会, ハイブリッド開催(上智大学四谷キャンパス(東京)＋オンライン), 2023年3月15日-18日(口頭, 2023年 3月16日)
  16. 竹内 雅治，若林 千幸，太田 康介，成田 憲人，蔭浦 泰資，高野 義彦，立木 実，大井 修一，有沢 俊一，川原田 洋,“C-Si-Oチャネルと超伝導ソースドレインを用いたダイヤモンドクライオMOSFETの極低温環境下における動作”, 第70回応用物理学会春季学術講演会、ハイブリッド開催(上智大学四谷キャンパス(東京)＋オンライン)、2023年3月15日-18日 (口頭, 2022年3月16日)
  17. 成田 憲人, 太田 康介, 付 裕, 若林 千幸, 平岩 篤, 川原田 洋, "高出力高速相補型インバータ実現に向けたC-Si-O側壁チャネルを用いたノーマリーオフ縦型ダイヤモンドMOSFETの開発", 第70回応用物理学会春季学術講演会, ハイブリッド開催(上智大学 四谷キャンパス(東京)＋オンライン), 2023年3月15日-18日 (口頭、2023年3月16日)
  18. 賈 学テイ, 高橋 輝, Fu Yu, 浅井 風雅, 太田 康介, 平岩 篤, 川原田 洋, "C-Si-OチャネルノーマリーオフダイヤモンドMOSFETの高周波動作特性", 第70回応用物理学会春季学術講演会, ハイブリッド開催(上智大学 四谷キャンパス(東京)＋オンライン), 2023年3月15日-18日 (口頭、2023年3月16日)
  19. 川原田　洋, "ダイヤモンド・パワー高周波FET開発状況と今後の展望", 2023年信学会総合大会, ウルトラワイドバンドギャップ半導体トランジスタの最前線（電子デバイス研専）, ハイブリッド開催（芝浦工業大学大宮キャンパス+オンライン）, 2023年3月7日～10日, (招待講演, 2023年3月9日)
  20. 川原田 洋, 佐藤弘隆, 野本玲於奈, 正留康太, "塩水の電気伝導性に着目した海水通信", 電子情報通信学会　コミュニケーションシステム研究会（CS）, ハイブリッド開催(北九州国際会議場(福岡)+オンライン), 2023年3月1日-2日(特別招待講演, 3月2日)
  21. 佐藤弘隆, 正留康太, 野本玲於奈, 川原田洋, "海水のイオン導電性を利用した海中無線通信 ～海水管，漁業用いけす内のワイヤレスリアルタイムモニタリングが可能に～," 第22回 国際ナノテクノロジー総合展・技術会議, 東京ビッグサイト(東京), 2023年2月1日-3日(ポスター, 2023年2月1日-3日)
  22. 川原田　洋, "ダイヤモンドFET研究とプラズマプロセス", JSPS日本学術振興会　プラズマ材料科学第153委員会 第161回研究会「プラズマ千夜一夜物語：プラズマ材料科学分野の歴史と将来展望」, TKPガーデンシティPREMIUM京橋 ホール(東京), 2023年1月27日（招待講演）