WASEDA UNIVERSITY
　　　　　　　　　　　　　　
 
 
 

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1999
1998
1997

    

2015年

国際学会

  1. Y. Hirano, M. Inaba, K. Suzuki, W. Fei, W. Norimatsu, M. Kusunoki, H. Kawarada, "Metal-Catalyst Free Carbon Nanotube Growth from Templete Carbon Nanotube Forest Formed by SiC Surface Decomposition", 2015 MRS Fall Meeting & Exhibit, Boston, USA, Nov. 29-Dec. 4, 2015. (oral)
  2. T. Hara, A. Hiraiwa, H. Kawarada, ”High-Reliability SiO2 Films Formed on Diamond by Thermal Oxidation of Si”, 2015 MRS Fall Meeting & Exhibit, Boston, USA, Nov. 29-Dec. 4, 2015. (oral)
  3. Y. Kitabayashi, T. Yamada, Dechen  Xu, T. Saito, D. Matsumura, A. Hiraiwa, H. Kawarada, "C-H Diamond MOSFETs with 1.7 kV Breakdown Voltage and >190mA/mm Current Density", 2015 MRS Fall Meeting & Exhibit, Boston, USA, Nov. 29-Dec. 4, 2015. (oral)
  4. M.Shibata, Y.Kitabayashi, A.Hiraiwa, H. Kawarada, “Device Simulation of C-H Diamond MOSFETs based on 2DHG formed by 2D Fixed Negative Charge”, 2015 MRS Fall Meeting & Exhibit, Boston, USA, Nov. 29-Dec. 4, 2015. (oral)
  5. Y. Hayashi, W. Ono, D. Matsumura, A. Hiraiwa, H. Kawarada, “Structural and Electrical Properties of Double-Domain Heteroepitaxial AlN on (001) Diamond Substrate”, 2015 MRS Fall Meeting & Exhibit, Boston, USA, Nov. 29-Dec. 4, 2015. (oral)
  6. D. Matsumura, A. Hiraiwa, H. Kawarada、"High-Temperature Electric-Insulation Characteristics of High-Temperature-ALD-Grown Al2O3 Films", 2015 MRS Fall Meeting & Exhibit, Boston, USA, Nov. 29-Dec. 4, 2015. (oral)
  7. T. Saito、M. Kobayashi, Y. Kitabayashi, D. Matsumura, M. Inaba, A. Hiraiwa, H. Kawarada、"Trench-Channel Vertical MOSFET Using C-H Diamond Surface", 2015 MRS Fall Meeting & Exhibit, Boston, USA, Nov. 29-Dec. 4, 2015. (oral)
  8. E. Suaebah, T. Naramura, M. Myodo, M. Hasegawa, H. Kawarada, “Diamond based Biosensor on Direct Carboxyl Termination for Biomolecule Activation”, 2015 MRS Fall Meeting & Exhibit, Boston, USA, Nov. 29-Dec. 4, 2015. (oral)
  9. M.Syamsul.N.B.S.B, Y. Kitabayashi, D. Matsumura, T. Saito, H. Kawarada, “High Voltage Breakdown 1.8 kV Hydrogenated Black Diamond Field Effect Transistor”, 2015 MRS Fall Meeting & Exhibit, Boston, USA, Nov. 29-Dec. 4, 2015. (oral)
  10. D. Matsumura, A. Hiraiwa, H. Kawarada, “New High-Temperature Instability of ALD-Al2O3 MIS Capacitors”, IWDTF （International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES SCIENCE AND TECHNOLOGY ）, Miraikan, National Museum of Emerging Science and Innovation, Tokyo, Nov. 2-4, 2015. (poster)
  11. Evi Suaebah, T. Naramura, H. Kawarada, “Direct Partial CH3 Termination into Carboxyl”, IEEE SENSORS 2015, Busan, South Korea, Nov. 1-4 2015. (poster)
  12. Y. Shintani, K. Ogawa, H. Kawarada, “All-solid-State pH Sensor utilizing Termination-controlled Boron-doped Diamond Surface as pH-sensitive/pH-less-sensitive Interface”, The 66th Annual Meeting of the International Society　of Electrochemistry, Taiwan, Oct. 4-9, 2015. (oral)
  13. Y. Shintani, K. Ogawa, H. Kawarada, “Characterization of Polycrystalline Doped-diamond Electrolyte-solution-gate Field-effect Transistor pH Sensor with/without termination control”, The 66th Annual Meeting　of the International Society　of Electrochemistry, Taiwan, Oct. 4-9, 2015. (poster)
  14. M. Inaba, K. Suzuki, Y. Hirano, W. Norimatsu, M. Kusunoki, H. Kawarada, "Schottky barrier height lowering at silicon carbide by carbon nanotubes", 16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2015), Giardini Naxos, Italy, Oct. 4-9, 2015. (poster)
  15. Y. Kitabayashi, T. Yamada, D. Xu, T. Saito, D. Matsumura, A. Hiraiwa and H.Kawarada,  "1.7 KV Breakdown C-H Diamond MOSFETs with High Drain Current Density", International Conference on Solid State Devices and Materials, Sapporo, Japan, Sep. 27-30, 2015 . (oral)
  16. M. Shibata, T. Kageura, T. Yamaguchi, Y. Takano, and H. Kawarada, “Effect of Stacking Faults on Magnetic Flux Pinning in BoronDoped Superconducting Diamond Films”, 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials, Sapporo, Japan,, Sep. 27-30, 2015 . (oral)
  17. T. Saito, M. Kobayashi, T. Yamada, D. Xu, Y. Kitabayashi, D. Matsumura, M. Inaba, A. Hiraiwa,and H. Kawarada, "Trench-channel MOSFET using C-H Diamond Surface", 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials, Sapporo, Japan, Sep. 27-30, 2015. (poster)
  18. H. Kawarada T. Yamada, D. Xu, H. Tsuboi, Y. Kitabayashi, A. Hiraiwa, “High Voltage H-terminated Diamond MOSFETs using 2D Hole Gas with >1600V Breakdown and High Current Density”, International Conference on Diamond and Carbon Materials,  Bad Homburg, Germany, Sep. 6-10, 2015 (oral, invited)
  19. H. Kawarada, “Diamond transistors and superconducting devices for N-V center research”, Diamond Quantum Sensing Workshop 2015, Takamatsu, Japan, Aug.5-7, 2015. (oral)
  20. M. Inaba, H. Yamano, K. Kato, T. Kageura, M. Shibata, S. Onoda, T. Teraji, J. Isoya, T. Tanii, H. Kawarada, "Diamond surface fluorescence for device sensing", Diamond Quantum Sensing Workshop 2015, Takamatsu, Japan, Aug.5-7, 2015. (poster)
  21. T.Kageura, M.Shibata, T.Yamaguchi, Y.Takano, H.Kawarada, , "Physical properties of superconducting diamond　for quantum devices", Diamond Quantum Sensing Workshop 2015, Takamatsu, Japan, Aug.5-7, 2015. (poster)
  22. M. Inaba , C.-Y. Lee , K. Suzuki , H. Kawarada, “In-plane conductivity of carbon nanotube forest formed on silicon carbide”, The 6th NIMS/MANA-Waseda University International Symposium, Waseda University, Tokyo, Japan, 29 July, 2015. (oral)
  23. T. Kageura , M. Shibata , T. Yamaguchi , Y. Takano , H. Kawarada, “Lattice strain analysis of superconducting boron doped diamond”, The 6th NIMS/MANA-Waseda University International Symposium, Waseda University, Tokyo, Japan, 29 July, 2015. (oral)
  24. M. Inaba, K. Suzuki, M. Shibuya, C.-Y. Lee, Y. Masuda, N. Tomatsu, A.Hiraiwa, M. Kusunoki, H. Kawarada, "Low Schottky barrier height at carbon nanotube and silicon carbide interface for power electronic devices", NT15: The Sixteenth International Conference on the Science and Application of Nanotubes, Nagoya University, Nagoya, Japan, 29 June- 3 July, 2015. (poster)
  25. Y. Hirano, M. Inaba, M Shibuya, K Suzuki, W Norimatsu, M Kusunoki, H Kawarada “Carbon nanotubes growth by thermal CVD from the ends of CNT forest on SiC” NT15: The Sixteenth International Conference on the Science and Application of Nanotubes, Nagoya University, Nagoya, Japan, 29 June- 3 July, 2015. (poster)
  26. A. Hiraiwa, T. Saito, D. Matsumuara, and H. Kawarada, "High-reliability Passivation of Diamond Surface Conduction Layer Using High-temperature H2O-oxidant ALD Growth of Al2O3," AVS 15th International Conference on Atomic Layer Deposition, Portland, USA , 28 June-1 July 2015. (oral)
  27. H. Kawarada, "Diamond Power MOSFETs with >1600V Breakdown Voltages and  High Current Density",  2015 International Symposium on Single Crystal Diamond and Electronics (SCDE 2015), Xi'an, China, 12-15 June 2015 (invited）
  28. M. Inaba, K. Suzuki, Y. Hirano, W. Norimatsu, M. Kusunoki, H. Kawarada, “In plane conductivity of dense carbon nanotube forest Formed on silicon carbide for CNT contact evaluation” AMDI-6:The 6th International Symposium on Advanced Materials Development and Integration of Novel Structural Metallic and Inorganic Materials, Tokyo, Japan, 9 June 2015. (poster)
  29. T. Kageura, M. Shibata, T. Sasagawa, H.Kawarada , “Lattice strain dependence of superconducting boron-doped diamond thin film critical thickness”, AMDI-6:The 6th International Symposium on Advanced Materials Development and Integration of Novel Structural Metallic and Inorganic Materials, Tokyo, Japan, 9 June 2015. (poster)
  30. E. Suaebah, T. Naramura, M. Myodo, M. Inaba, X. Wang, R. A. Rahim, H. Kawarada, “Diamond Surface Functionalization Via Carboxyl Termination for ATP 16 Detection” 9th International Conference on New Diamond and Nano Carbons, Shizuoka, Japan, 24- 28 May 2015. (oral)
  31. H. Kawarada, T. Yamada, D. Xu, H. Tsuboi, T. Saito, Y. Kitabayashi, A. Hiraiwa, “High power diamond MOSFETs with >1600V breakdown and >100mA/mm current density” 9th International Conference on New Diamond and Nano Carbons, Shizuoka, Japan, 24- 28 May 2015. (oral)
  32. A. Hiraiwa, T. Saito, D. Matsumuara, H. Kawarada, “Isotope analysis of diamond-surface passivation effect of Al2O3 formed using a high-temperature H2O-oxidant ALD method”, 9th International Conference on New Diamond and Nano Carbons, Shizuoka, Japan, 24- 28 May 2015. (oral)
  33. T. Kageura , M. Shibata , T. Yamaguchi , Y.Takano , H.Kawarada, “Lattice Strain Analysis of Superconducting Boron-Doped Diamond Film by X-ray Diffraction” 9th International Conference on New Diamond and Nano Carbons, Shizuoka, Japan, 24- 28 May 2015. (oral)
  34. M. Inaba , C. Lee , K. Suzuki , Y. Hirano , M. Shibuya , M. Myodo , W. Norimatsu , M. Kusunoki , H. Kawarada, “In-plane conductivity of dense CNT forest formed on Silicon carbide and contact resistivity estimation of parallel adjacent CNT” 9th International Conference on New Diamond and Nano Carbons, Shizuoka, Japan, 24- 28 May 2015. (oral)
  35. M. Inaba, Y. Hirano, M. Shibata, K. Suzuki, C. Lee, M. Myodo, A. Hiraiwa, W. Norimatsu, M. Kusunoki, H. Kawarada, "Carbon nanotube synthesis by non-catalytic CVC from dense carbon nanotube forest", 9th International Conference on New Diamond and Nano Carbons, Shizuoka, Japan, 24- 28 May 2015. (poster)

国内学会

  1. 加藤かなみ，山野颯，蔭浦泰資，柴田将暢,稲葉優文，小池悟大, 谷井孝至，磯谷順一,小野田忍， 寺地徳之，川原田洋, "表面終端と空乏層による浅いNVセンターの電荷状態"，第29回ダイヤモンドシンポジウム，東京理科大学葛飾キャンパス，2015年11月17日-19日 （口頭）
  2. 工藤拓也, 北林 祐哉, 山田 哲也,  許 德琛, 斎藤 俊輝, 松村 大輔, 林 佑哉, 平岩 篤, 川原田 洋, "高耐圧・高電流密度を有するノーマリオフC-HダイヤモンドMOSFET ", 第29回ダイヤモンドシンポジウム, 東京理科大学葛飾キャンパス, 2015年11月17日-19日（口頭）
  3. 日出幸昌邦, 蔭浦泰資, 柴田将暢, 北林祐哉, 笹間陽介, 山口尚秀, 高野義彦, 川原田洋, “ボロンドープダイヤモンド超伝導量子干渉計の作製に向けたジョセフソン接合の特性評価”, 第29回ダイヤモンドシンポジウム, 東京理科大学葛飾キャンパス, 2015年11月17日-19日（口頭）
  4. 山野颯, 山野 颯，稲葉優文，蔭浦泰資，加藤かなみ，小池悟大，谷井孝至，小野田 忍，寺地徳之，磯谷順一，川原田 洋, “表面水素終端化による浅いNVセンターへの影響”, 第29回ダイヤモンドシンポジウム, 東京理科大学葛飾キャンパス, 2015年11月17日-19日（口頭）
  5. 工藤 拓也, 北林 祐哉, 山田 哲也,  許 德琛, 斎藤 俊輝, 松村 大輔, 柴田将暢, 平岩 篤, 川原田 洋, "絶縁破壊電圧1.7 kVおよび電流密度~200 mA/mmのC-HダイヤモンドMOSFET (C-H Diamond MOSFETs with 1.7 kV breakdown voltage and >200mA/mm current density) ",第76回応用物理学会秋季学術講演会、名古屋国際会議場(愛知)、2015年9月13日-16日（口頭）
  6. 日出幸 昌邦、蔭浦 泰資、柴田 将暢、北林 祐哉、山口 尚秀、高野 義彦、川原田 洋, “ボロンドープダイヤモンド超伝導量子干渉計の作製に向けたジョセフソン接合の特性評価”, 秋季第76回応用物理学会, 名古屋国際会議場(愛知), 2015年9月13日-16日（口頭）
  7. 柴田 将暢、許 德琛、北林 祐哉、平岩 篤、川原田 洋、“2次元固定負電荷誘起による2DHGを用いたC-HダイヤモンドMOSFETデバイスシミュレーション”、第76回応用物理学会秋季学術講演会、名古屋国際会議場(愛知)、2015年9月13日-16日（口頭）
  8. 原 壮志、平岩 篤、川原田 洋、"ダイヤモンド上への高信頼熱酸化 SiO2膜の形成"、第76回応用物理学会秋季学術講演会、名古屋国際会議場(愛知)、2015年9月13日-16日（口頭）
  9. 斎藤 俊輝, 小林 幹典, 北林 佑哉, 松村 大輔,稲葉 優文, 平岩 篤, 川原田 洋, "縦型構造トレンチチャネル C-H ダイヤモンド MOSFET", 第76回応用物理学会秋季学術講演会, 名古屋国際会議場(愛知), 2015年9月13日-16日（口頭）
  10. 楢村 卓朗, モフドスクリ シャイリ, 稲葉 優文, 小林 幹典, 新谷 幸弘, 平岩 篤, 川原田 洋, "黒ダイヤモンドを用いた電解質溶液ゲートFETの電気的特性評価", 第76回応用物理学会秋季学術講演会, 名古屋国際会議場(愛知), 2015年9月13日-16日（口頭）
  11. 平野 優, 稲葉 優文, 鈴木 和真, 費 文茜, 乗松 航, 楠 美智子, 川原田 洋, "SiC上カーボンナノチューブフォレストのメタルフリーCVD成長におけるCNT端面の調査", 第76回応用物理学会秋季学術講演会, 名古屋国際会議場(愛知), 2015年9月13日-16日（口頭）
  12. 蔭浦 泰資 、柴田 将暢、山口 尚秀、高野 義彦、川原田 洋, ”超伝導ダイヤモンド中の格子緩和による積層欠陥の導入と磁束ピンニングの観測”第76回応用物理学会秋季学術講演会、名古屋国際会議場(愛知)、2015年9月13日-16日（口頭）
  13. M.Syamsul N.S.B., , Kitabayashi Yuya , Daisuke Matsumura, , Toshiki Saito , Hiroshi Kawarada, “Hydrogenated Black Diamond FET with high voltage breakdown of 1.8kV”, 第76回応用物理学会秋季学術講演会、名古屋国際会議場(愛知), 2015年9月13日-16日（口頭）
  14. 稲葉 優文, 李 智宇, 鈴木 和真, 平野 優, 費 文茜, 乗松 航, 楠 美智子, 川原田 洋,”カーボンナノチューブ間の接触抵抗”, 第76回応用物理学会秋季学術講演会、名古屋国際会議場(愛知)、2015年9月13日-16日（口頭）
  15. 平岩 篤, 齊藤 達也, 松村 大輔, 川原田 洋, “絶縁膜帯電とダイポールを考慮したALD-Al2O3膜伝導機構解析”, 第76回応用物理学会秋季学術講演会, 名古屋国際会議場(愛知), 2015年9月13日-16日（口頭）
  16. M. Inaba, W. Norimatsu, M. Kusunoki, H. Kawarada, "Contact resistivity evaluation of parallel adjacent CNTs from in-plane conductivity of dense CNT forest on silicon carbide", 第49回 フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム, 北九州国際会議場(福岡), 2015年9月7日-9日（口頭）
  17. M. Inaba, K. Suzuki, Y. Hirano, W. Norimatsu, M. Kusunoki, H. Kawarada, "Electrical contact of carbon nanotube and silicon carbide interface", 第34回電子材料シンポジウム(The 34th Electronic Materials Symposium), ラフォーレ琵琶湖(滋賀), 2015年7月15日-17日（ポスター）
  18. 稲葉 優文, 李 智宇, 鈴木 和真, 渋谷 恵,  明道 三穂, 平野 優, 乗松 航, 楠 美智子, 川原田 洋, "SiC上カーボンナノチューブフォレストのパターニング形成のための耐超高温ZnO/Cマスク", 第62回応用物理学会春季学術講演会, 東海大学湘南キャンパス, 2015年3月（口頭）
  19. 斎藤 俊輝、小林 幹典、山田 哲也、許 德琛、北林 祐哉、松村 大輔、坪井 秀俊、稲葉 優文、平岩 篤、川原田 洋, "トレンチチャネルを有する C-H ダイヤモンド MOSFET", 春季第62回応用物理学会, 東海大学湘南キャンパス, 2015年3月（口頭）
  20. 柴田 将暢, 蔭浦 泰資, 山口 尚秀, 高野 義彦, 川原田 洋, “X線回折法を用いたボロンドープ超伝導ダイヤモンド薄膜の臨界膜厚評価”, 春季第62回応用物理学会, 東海大学, 2015年3月（口頭）
  21. 林 佑哉, 小野 和子, 袴田 知宏, 平岩 篤, 川原田 洋, “(001)ダイヤモンド上MBE薄膜AlNのIn-Plane X線回析法による評価”, 春季第62回応用物理学会, 東海大学 湘南キャンパス, 2015年3月（口頭）
  22. 原 壮志、袴田 知宏、小野 和子、瀬下 裕志、林 佑哉、平岩 篤、川原田 洋, "ダイヤモンド上SiO2ゲート絶縁膜の形成と評価", 春季第62回応用物理学会, 東海大学湘南キャンパス, 2015年3月（口頭）
  23. 平野 優, 稲葉 優文, 渋谷 恵, 鈴木 和真, 李 智宇, 明道 三穂, 平岩 篤, 乗松 航,楠 美智子, 川原田 洋, "無触媒CVD成長したカーボンナノチューブの評価"，第62回応用物理学会春季学術講演会，東海大学湘南キャンパス，2015年3月（口頭）
  24. 楢村 卓朗, エヴィ スアエバ, 明道 三穂, 小林 幹典, 稲葉 優文, 平岩 篤, 川原田 洋"ダイヤモンド基板の表面制御によるアプタマーを用いたATP検出", 春期第62回応用物理学会, 東海大学 湘南キャンパス, 2015年3月（口頭）
  25. 北林 祐哉、山田 哲也、許 德琛、坪井 秀俊、斎藤 俊輝、齊藤 達也、松村 大輔、平岩 篤、川原田 洋,  "耐圧1600Vを超える高温ALD-Al2O3絶縁膜を用いた水素終端ダイヤモンドMOSFET ", 春季第62回応用物理学会, 東海大学, 2015年3月（口頭）
  26. 松村 大輔，齊藤 達也，平岩 篤, 川原田 洋,"原子層堆積Al2O3-MOSキャパシタの高温電気的絶縁性 に対するゲート電極材質の影響" 春季第62回応用物理学会, 東海大学, 2015年3月（口頭）
  27. M. Inaba, Chih-Yu Lee, K. Suzuki, Y. Hirano, M. Shibuya, M. Myodo, W. Norimatsu, M. Kusunoki, H. Kawarada, “Electrical contact of parallel adjacent CNTs estimated from in-plane conductivity of dense CNT forest on silicon carbide”, 第48回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム, 東京大学, 2015年2月　（ポスター）
  28. 平野優, 稲葉優文, 渋谷恵, 鈴木和真, 李智宇, 明道三穂, 平岩篤, 乗松航, 楠美智子, 川原田洋, "Non-catalytic CVD growth from carbon nanotube forest formed by SiC surface decomposition", 第48回 フラーレン・ナノチューブ・グラフェン 総合シンポジウム, 東京大学, 2015年2月　（口頭）