WASEDA UNIVERSITY
              
 
 
 

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2018年

国際学会

  1. M. Syamsul and H. Kawarada, "Exploring the potential of heteroepitaxial diamond as field effect transistor" 2018 E-MRS Fall Meeting & Exhibit, Warsaw, Poland, Sept. 17-20, 2018  (Invited).
  2. S. Imanishi, N. Oi, S. Okubo, K. Horikawa, T. Kageura, A. Hiraiwa, H. Kawarada, "RF Performance of ALD-Al2O3 2DHG Diamond MOSFETs at High Voltage Operation for High Output Power", 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2018), Tokyo, Japan, Sept. 9-13, 2018. (Oral)
  3. S. Amano, T. Kageura, I. Tsuyuzaki, M. Tachiki, S. Ooi, K. Hirata, S. Arisawa, H. Osato, D. Tsuya, Y. Takano, H. Kawarada "Superconducting Boron-doped Diamond Josephson Junction Operating above Liquid He Temperature, 4.2K", 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2018), Tokyo, Japan, Sept. 9-13, 2018. (Oral)
  4. T. Sonoda, S. Kawai, H. Yamano, K. Kato, J. J. Buendia, T. Kageura,Y. Ishii, K. Nagaoka, R. Fukuda, T. Okada, M. Haruyama, T. Tanii, K. Yamada, S. Onoda, W. Kada, O. Hanaizumi, A. Stacey, T. Teraji, S. Kono, J. Isoya, H. Kawarada, "Properties of Shallow Nitrogen Vacancy Centers in Nitrogen Terminated Diamond and Detection of Nuclear Magnetic Resonance", 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2018), Tokyo, Japan, Sept. 9-13, 2018. (Oral)
  5. Y. Iyama, S. Falina, Y. Shintani, H. Kawarada, "New Glass-less pH Sensing System Using Diamond Electrolyte Solution Gate FETs (SGFETs) and Vessel Gate", 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2018), Tokyo, Japan, Sept. 9-13, 2018. (Oral)
  6. K. Horikawa, A. Hiraiwa, S. Okubo,T. Kageura and H. Kawarada , “High-bias-instability Al2O3 films formed by high-temperature annealing after atomic layer deposition", 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2018), Tokyo, Japan, Sept. 9-13, 2018. (Poster)
  7. T. Yabe, N. Oi, J. J. Buendia, S. Okubo, K. Horikawa, T. Kageura, S. Kono, A. Hiraiwa , H. Kawarada, "Normally-Off 2DHG Diamond Al2O3/SiO2 MOSFETs without deteriorating Drain Current Density", 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2018), Tokyo, Japan, Sept. 9-13, 2018. (Oral)
  8. M. Iwataki, N. Oi, K. Horikawa, S. Amano, T. Kageura, M. Inaba, A. Hiraiwa, H. Kawarada, "Vertical-Type 2DHG Diamond MOSFETs with a Few Micro Meter Length Trench Structure", 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2018), Tokyo, Japan, Sept. 9-13, 2018. (Oral)
  9. T. Kageura, I. Tsuyuzaki, T.Yamaguchi, Y. Takano and H.Kawarada "Superconductivity in high quality single crystal boron-doped diamond films with Tc above 10K", 29th International Conference on Diamond and Carbon Materials, Dubrovnik, Croatia, Sept. 2-6, 2018 (Oral)
  10. H. Kawarada, "Recent Progress of Diamond 2DHG p-FETs for Complementary High Voltage Inverter Application", International Symposium on Single Crystal Diamond and Electronics(SCDE 2018), Xi'an Jiaotong University Academic Exchange Center, Xi'an, China, 9-12 June 2018 (Keynote Speech)
  11. H. Kawarada, "Breakdown Mechanism of C-H Diamond MOSFETs Compared with Other Wide Bandgap Materials" The 12th New Diamond and Nano Carbons Conference (NDNC 2018), Arizona, USA, 20-24 May 2018 (Oral)
  12. Syamsul Mohd, Shaili Falina, M. Hasegawa, Y. Koga, H. Kawarada, "Solution Giant Gate Graphene FET (G3FET) pH Sensor" The 12th New Diamond and Nano Carbons Conference (NDNC 2018), Arizona, USA, 20-24 May 2018 (Oral)
  13. T. Kageura, M. Hideko, I. Tsuyuzaki, Y. Takano, M. Tachiki, S. Ooi and H.Kawarada "Superconductivity in Thin- and Micro-Structured Boron-Doped Diamond", The 12th New Diamond and Nano Carbons Conference (NDNC 2018), Arizona, USA, 20-24 May 2018 (Oral)


国内学会

  1. 平岩 篤, 大久保 智, 堀川 清貴, 川原田 洋, "新しい光誘起容量電圧法による絶縁膜/ワイドバンドギャップ半導体界面深い準位の検出",第79回応用物理学会秋季学術講演会, 名古屋国際会議場(愛知), 2018年9月18日-21日(口頭)
  2. Alhasani Reem Mohammed, T. Yabe, H. Kawarada "Terminated Diamond Interface Properties of Overlapping Gate MOSFET Simulation Using Non-charge Surface Model with Al2O3", 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 名古屋国際会議場(愛知), 2018年9月18日-21日(口頭)
  3. 矢部太一, 大井信敬, 堀川清貴, 大久保智, Jorge. J. Buendia, 蔭浦泰資, 河野省三, 平岩篤, 川原田洋, "Al2O3/SiO2界面導入による高ドレイン電流ノーマリオフ2DHGダイヤモンドMOSFET", 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 名古屋国際会議場(愛知), 2018年9月18日-21日(口頭)
  4. 久樂 顕,今西 祥一朗,大井 信敬,大久保 智,堀川 清貴,蔭浦 泰資,平岩 篤,川原田 洋,"出力電力密度3.8 W/mm @1 GHzを有する2DHGダイヤモンドMOSFETs" 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 名古屋国際会議場(愛知), 2018年9月18日-21日(口頭)
  5. 蓼沼 佳斗, 井山 裕太郎, 梶家 美貴, ファリナ シャイリ, シャムスル モフド, 張 育豪, 新谷 幸弘, 川原田 洋, "ダイヤモンド電解質溶液FETのスイッチング特性およびその参照電極-チャネル間距離依存性", 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 名古屋国際会議場(愛知), 2018年9月18日-21日(口頭)
  6. 森下 葵,蔭浦 泰資,露崎 活人,天野 勝太郎,高野 義彦,立木 実, 大井 修一,有沢 俊一,川原田 洋, "液体ヘリウム温度以上で動作可能な超伝導ボロンドープダイヤモンドジョセフソン接合", 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 名古屋国際会議場(愛知), 2018年9月18日-21日(口頭)
  7. 立石 哲也,薗田 隆弘,河合 空,山野 颯,Jorge J. Buendia,蔭浦 泰資,石井 邑,永岡 希朗,福田 諒介,谷井 孝至,春山 盛善,山田 圭介,小野田 忍,加田 渉,花泉 修, Alastair Stacey,神田 一浩,上村 雅治,寺地 徳之,磯谷 順一,河野 省三,川原田 洋,"窒素終端ダイヤモンド中の浅いNVセンターを用いたNMR測定(Ⅱ)", 第79回応用物理学会秋季学術講演会,名古屋国際会議場(愛知), 2018年9月18日-21日 (口頭)
  8. 西村隼, 岩瀧 雅幸, 大井 信敬, 堀川 清貴, 天野 勝太郎, 蔭浦 泰資, 稲葉 優文, 平岩 篤, 川原田 洋, "オーバーラップゲート構造による高オン電流、低オン抵抗 縦型2DHGダイヤモンドMOSFET", 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 名古屋国際会議場(愛知), 2018年9月18日-21日(口頭)
  9. 川原田 洋, "相補型パワーインバータに向けたダイヤモンド2次元正孔ガス高耐圧電界効果トランジスタ", 第46回 薄膜・表面物理セミナー(応用物理学会薄膜・表面物理分科会), 産総研 臨海副都心センター別館, 2018年7月27日(依頼講演)
  10. 川原田 洋, 大井信敬, 畢 特, 今西祥一朗, 岩瀧雅幸, 矢部太一, 平岩 篤, "ダイヤモンドパワー電界トランジスタの進展", 電子情報通信学会エレクトロニクスソサイティ シリコン材料・デバイス(SDM)研究会, 名古屋大学VBL3F, 2018年6月25日(招待講演)
  11. 平岩篤, 井出啓介, 神谷利夫, 川原田洋, "Al2O3/IGZO MIS キャパシタの電気伝導特性", 学際・国際的高度人材育成ライフイノベーションマテリアル創製共同研究プロジェクト(6大学連携プロジェクト)第2回公開討論会, 大阪大学 中之島センター 佐治敬三メモリアルホール, 2018年3月30日(ポスター)
  12. 蔭浦泰資, 日出幸昌邦, 露崎活人, 笹川崇男, 川原田洋, " MPCVD 法製超伝導ボロンドープダイヤモンド薄膜の電気伝導特性"、学際・国際的高度人材育成ライフイノベーションマテリアル創製共同研究プロジェクト(6大学連携プロジェクト)第2回公開討論会, 大阪大学 中之島センター 佐治敬三メモリアルホール, 2018年3月30日(ポスター)
  13. 費文茜, 蔭浦泰資, 稲葉優文, 益田秀樹, 川原田洋, "Influence of growth temperature on carbon nanowires synthesized by template-assisted microwave plasma chemical vapor deposition",学際・国際的高度人材育成ライフイノベーションマテリアル創製共同研究プロジェクト(6大学連携プロジェクト)第2回公開討論会, 大阪大学 中之島センター 佐治敬三メモリアルホール, 2018年3月30日(ポスター)
  14. 畢 特, 牛俊雄, 大井信敬, 佐々木敏夫, 工藤拓也, 平岩篤, 稲葉優文, 川原田洋, "Normally-off Diamond p-FET Application in Cascode with High Breakdown voltage over 1735V and Half-Bridge Inverter", 学際・国際的高度人材育成ライフイノベーションマテリアル創製共同研究プロジェクト(6大学連携プロジェクト)第2回公開討論会, 大阪大学 中之島センター 佐治敬三メモリアルホール, 2018年3月30日(ポスター)
  15. 平岩 篤,大久保 智,堀川 清貴,川原田 洋,"GaN基板上原子層堆積Al2O3膜電気伝導特性の動的帯電モデル",第65回応用物理学会春季学術講演会, 早稲田大学西早稲田キャンパス・ベルサール高田馬場(東京), 2018年3月17日-20日(口頭)
  16. 山本 あおい, 畢 特, 牛 俊雄, 工藤 拓也, 大井 信敬, 大久保 智, 稲葉 優文, 佐々木 敏夫, 平岩 篤, 川原田 洋" Cascode Diamond p-FETを用いた相補型高電圧スイッチング回路 ", 第65回応用物理学会春季学術講演会,  早稲田大学西早稲田キャンパス・ベルサール高田馬場(東京), 2018年3月17日-20日(口頭)
  17. 岩瀧 雅幸, 大井 信敬, 牟田 翼, 堀川 清貴, 天野 勝太郎, 日出幸 昌邦, 蔭浦 泰資, 稲葉 優文, 平岩 篤, 川原田 洋, "高耐圧及び微細化に向けて構造改善を行った縦型2DHGダイヤモンドMOSFET", 第65回応用物理学会春季学術講演会, 早稲田大学西早稲田キャンパス・ベルサール高田馬場(東京), 2018年3月17日-20日(口頭)
  18. 堀川 清貴, 平岩 篤, 大久保 智, 蔭浦 泰資, 川原田 洋 “成膜後熱処理の最適化による原子層堆積Al2O3膜バイアス安定性の向上", 第65回応用物理学会春季学術講演会, 早稲田大学西早稲田キャンパス・ベルサール高田馬場(東京), 2018年3月17日-20日(口頭)
  19. 薗田 隆弘, 河合 空, 山野 颯, 加藤 かなみ, Jorge Buendia, 蔭浦 泰資, 石井 邑, 福田 諒介, 岡田 拓真, 春山 盛善, 谷井 孝至, 山田 圭介, 小野田 忍, 加田 渉, 花泉 修, Alastair Stacey, 寺地 徳之, 河野 省三, 磯谷 順一, 川原田 洋, "窒素終端ダイヤモンド中の浅いNVセンターを用いたNMR測定",  第65回応用物理学会春季学術講演会, 早稲田大学西早稲田キャンパス・ベルサール高田馬場(東京), 2018年3月17日-20日(口頭)
  20. 今西 祥一朗, 大井 信敬,工藤 拓也,大久保 智,堀川 清貴, 平岩 篤, 川原田 洋, ”高出力化に向けたALD-Al2O3 2DHG ダイヤモンドMOSFETの高電圧動作における高周波特性評価”, 第65回応用物理学会春季学術講演会, 早稲田大学西早稲田キャンパス・ベルサール高田馬場(東京), 2018年3月17日-20日(口頭)
  21. 井山 裕太郎, 五十嵐 圭為, モフドスクリ シャイリ, 新谷 幸弘, 川原田 洋, "Vessel Gateを用いたダイヤモンド電解質溶液ゲートFETのpH Sensing", 第65回応用物理学会春季学術講演会, 早稲田大学西早稲田キャンパス・ベルサール高田馬場(東京), 2018年3月17日-20日(口頭)
  22. 矢部太一, 工藤拓也, 大井信敬, 大久保智, 堀川清貴, 天野勝太郎, 日出幸昌邦, 露崎活人, 蔭浦泰資, 河野省三, 平岩篤, 川原田洋, "水素終端ダイヤモンド表面上のSiO2薄膜が二次元正孔ガス層に及ぼす影響", 第65回応用物理学会春季学術講演会, 早稲田大学西早稲田キャンパス・ベルサール高田馬場(東京), 2018年3月17日-20日(口頭)
  23. 天野 勝太郎, 日出幸 昌邦, 蔭浦 泰資,  露崎 活人, 高野 義彦, 立木 実, 大井 修一, 川原田 洋, " (111)ボロンドープダイヤモンドの薄層での超伝導転移温度の向上 " , 第65回応用物理学会春季学術講演会, 早稲田大学西早稲田キャンパス・ベルサール高田馬場(東京), 2018年3月17日-20日(口頭)
  24. 蔭浦 泰資, 川原田 洋, "ボロンドープダイヤモンド超伝導量子干渉計の開発", 早稲田大学ナノテクノロジーフォーラム 第 4 回分科会ワークショップ「グリーンエレクトロニクス分野」「革新的エナジー・ハーベスティングに向けた材料・デバイス技術」, 早稲田大学 研究開発センター(東京),  2018年3月9日(ポスター)
  25. 費 文茜, 稲葉 優文、益田 秀樹、川原田 洋, " Influence of growth temperature on carbon nanowires synthesized by template-assisted microwave plasma chemical vapor deposition ",早稲田大学ナノテクノロジーフォーラム 第 4 回分科会ワークショップ「グリーンエレクトロニクス分野」「革新的エナジー・ハーベスティングに向けた材料・デバイス技術」, 早稲田大学 研究開発センター(東京), 2018年3月9日(ポスター)
  26. 畢 特, 牛 俊雄、大井 信敬、稲葉 優文、佐々木 敏夫, 川原田 洋, " Normally-off Diamond p-FET Application in Cascode with Breakdown Voltage over 1.7 KV ", 早稲田大学ナノテクノロジーフォーラム 第 4 回分科会ワークショップ「グリーンエレクトロニクス分野」「革新的エナジー・ハーベスティングに向けた材料・デバイス技術」, 早稲田大学 研究開発センター(東京),  2018年3月9日(ポスター)
  27. 今西 祥一朗, 大井 信敬,工藤 拓也,大久保 智,堀川 清貴, 平岩 篤, 川原田 洋, "高出力化に向けた ALD-Al2O32DHG ダイヤ モンド MOSFET の高電圧動作における高周波特性評価",早稲田大学ナノテクノロジーフォーラム 第 4 回分科会ワークショップ「グリーンエレクトロニクス分野」「革新的エナジー・ハーベスティングに向けた材料・デバイス技術」, 早稲田大学 研究開発センター(東京),  2018年3月9日(ポスター)